电流电压应力（I-V）测试招标公告

项目名称：南车株洲电力机车研究所有限公司C-V测量设备采购及安装调试
日期：2012年12月26日
招标编号：0862-1240HNZJ3010
湖南中技项目管理有限公司受买方委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标，于2012年12月26日在公告。本次招标采用传统招标 方式，现邀请合格投标人参加投标。
1、招标产品的名称、数量及主要技术参数：
C-V测量设备：1台。
1.系统描述：
完整的C-V测试系统，需满足下文工艺需求所要求的技术条件，该系统用于IGBT和FRD硅片氧化层内的电荷变化监测，重金属（铁，铜）浓度和少子寿命（扩散长度）测量等。
★2. 工艺和设备要求
CV测试仪应满足以下工艺需求所要求的技术条件
测试系统采用全自动测量方式，自动硅片传输处理，自动测量和分析，数据自动map和存储和自动校准等；
测试系统主要功能：
？标准的C-V测试
？变频的C-V测试
？电容时间（C-T）测试
？电流电压应力（I-V）测试
？栅氧全性能（GOI）测试
(1) 硅片规格：
硅片尺寸：200mm
硅片标准：SEMI
硅片对准参考：切口
硅片厚度：200μm至800μm
(2) 标准C-V测试：
标准C-V测试是在2个MOS电容终端器件（没有源漏极的MOSFET）上完成的。该测试同时含有高温偏压测试。以下是测试C-V数据的关键参数：
？平带电压
？平带电压移动
？移动电荷密度
？衬底掺杂密度
？氧束缚电荷密度
？阈值电压
(3)高温偏压测试：
？热板：300℃
？直流偏压：±10V
？可编程使偏压循环
(4)平带电压移动：
？范围：0.01V 至1V
？精度：≦±5%
(5)移动电荷密度（少量注入掺杂）：
？范围：1x1010至1x1012ions/cm2
？精度：≦±5%
(6)变频C-V测试：
变频C-V测试频率是从100 Hz到10MHz。界面缺陷密度测试基于变频C-V测试：
？范围：5x109 eV-1 cm2 至 5x1011 eV-1 cm2
？精度：≦±10%
(7)电容时间（C-T）测试（少子寿命）：
？范围：1 us至3000 us
？精度：≦±10%
(8)电流电压应力测试：
？范围：± 100 V ，± 100 fA 至 ± 1 mA.
？精度：≦±5%
(9)栅氧薄膜完整性测试：
？电压斜线上升法击穿测试
？电流斜线上升法击穿测试
？时间倚赖性电介质击穿测试
(10)氧化层击穿电场：
？范围：0至10 MV/cm。
？精度：≦±10%
2、招标文件售价：1000.00
3、购买招标文件时间：即日起，每天上午8：30-11：30，下午14：30-17：30（北京时间，法定节假日除外）。
4、购买招标文件地点：长沙市雨花区湘府中路117号西雅国际大酒店商务楼12层湖南中技项目管理有限公司
5、投标截止时间和开标时间：2013-01-16 09:30
6、中标情况将在公示。
7、开标地点：湖南中技项目管理有限公司开标室
地 址：长沙市雨花区湘府中路117号西雅国际大酒店商务楼12层
邮编：410004
电子邮箱：hnzj@vip.sina.com
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联系人：汤敏
开户银行（人民币）：交通银行长沙湘府路支行
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