物联网芯片联合研发合作方引入 招标公告
| 发布时间 | 2020-10-09 | 项目编号 | 点击查看 |
| 招标预算 | 详见内容 | 资质要求 | 点击查看 |
采购规模走势
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| 招标状态 | 【已截止】 | ||
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本项目 (略) （以下简称“我方”） (略) 芯片联合研发 (略) 方引入，特邀请有意向的潜在 (略) 方（以下简称“申请人”）提出 (略) 申请。 |
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* 、采购说明 我方与 (略) 方将以联合实验室的模式开展基于RISC-V的LTE-Cat1芯片联合研发，项目形成的知识产权由双方共有。最终我方知识产权占比须不低于 * %。联合研发过程中我方可 (略) 分人工费用，预计资金费用规模 * 万元。 (略) 方主要工作内容如下： 1、LTE-Cat1芯片协议栈、射频模拟电路、低功耗电源管理、物理层算法、芯片SOC系统等开发、验证，芯片后端设计开发工作。 2、芯片 (略) 布线，全芯片版图确认，FPGA测试，MPW回片系统联调，校准、log工具等开发工作。 3、芯片Full Mask回片系统联调，开发工具完善，外场、入库认证等支持工作。 4、通过联合研发协助我方输出LTE芯片设计技术专家至少2名，射频模拟、物理层、协议栈等方向技术骨干至少各4名，使我方具备成熟LTE芯片设计能力。
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