物质结构类招标公告

专利招商推介（第十六期）——物质结构类

我公司将于近期举办知识产权专利拍卖会，现进行公开招商推介，本次推介的专利主要为物质结构类知识产权专利，欢迎广大投资人垂询！

申请日：2013.05.13

申请号：CN*.4

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.08.07

摘要：本发明涉及一种热电材料TmCuTe2化合物的制备方法及其用途。该化合物属于三方晶系，空间群为，晶胞参数为α = β =90°, γ = 120°，Z = 8，晶胞体积为。采用高温固相法合成TmCuTe2化合物粉体，将得到的粉体进行热压烧结即可得到块体材料。该材料在754K时达到最佳热电优化值为0.81，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，而且该化合物高温稳定性好，因此可用于热-电转换器件制作。

申请日：2013.05.13

申请号：CN*.8

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.08.21

摘要：本发明涉及Ag1-xCuSe(x = 0.01-0.03)热电材料及其制备和用途。采用高温固相法合成Ag1-xCuSe的熔融体，将得到熔融体研磨成粉体进行热压烧结可得到目标块体材料。Ag空位Ag1-xCuSe热电材料的热电优值ZT最高达到1.4，在高温区间其ZT值约为0.6，且随温度基本不变化，该材料可用于高效热-电转换器件制作。

申请日：2013.10.10

申请号：CN*.2

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2014.01.01

摘要：本发明涉及红外非线性光学晶体Ba3BSbS6及其制备方法，属于无机非线性光学材料领域。采用高温固相法合成，合成红外非线性光学晶体Ba3BSbS6，属于六方晶系，空间群为化合物Ba3BSbS6在2.05μm激光激发下,其粉末倍频强度为AgGaS2的3倍。

申请日：2014.11.17

申请号：CN*.7

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2016.05.25

摘要：本申请公开了一种具有强的红外倍频响应的非线性晶体材料、其制备方法和应用。其该非线性晶体材料具有如下所示的分子式：Ba4MGa4Se10Cl2其中，M为金属元素，选自IIB族金属元素、VIIB族金属元素、VIII族金属元素中的至少一种或M由IB族金属元素中的至少一种与IIIA族金属元素中的至少一种组成；该晶体属于四方晶系，空间群为材料的粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的59倍，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。

申请日：2015.12.04

申请号：CN*.7

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2016.02.17

摘要：本发明公开了一种制备CsBi4Te6热电材料的方法。其将稀土元素RE、CsX、Bi和Te混合，在高温下制备得到CsBi4Te6材料。其中X为卤素。本发明所提供的方法摈弃了现有技术中采用价格昂贵的Cs单质或二元Cs2Te化合物，采用原料CsX提供Cs源，CsCl化合物不仅性能稳定，使得反应只需在真空密闭体系中进行即可，不需要特殊的装置，也不存在原料不稳定无法保存的问题，因此该合成方法操作非常简便，适合大规模应用。此外，原料CsX价格低廉，大幅度降低了成本。

申请日：2010.03.02

申请号：CN*.1

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2011.09.21

摘要：本发明涉及一类红外非线性光学晶体Ln4GaSbS9，属于无机非线性光学材料领域。本发明采用无机固相一步合成法合成。合成条件为：在950℃下反应5天。其分子式为Ln4GaSbS9，Ln为Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho中的一种，属于正交晶系，空间群为Aba2。Sm4GaSbS9具有优良的非线性光学性能，其粉末SHG系数为KTP的2倍。

申请日：2015.04.15

申请号：CN*.3

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2015.07.08

摘要：本发明涉及一种可连续进料作业的真空/气氛焊接装置及其焊接方法，通过在上下腔体之间设置具有中间挡板门的中间挡板，通过中间挡板门的启闭实现中间操作和焊接操作均在腔体内进行，在焊接过程中下腔体一直处于绝氧状态，有效防止热电材料、电极等被高温氧化；并且可以连续进行进料作业和焊接作业，操作方便，焊接效率高。本发明提出的焊接方法在初始工作时，先对整个密封腔体进行抽真空、空气置换的操作，并且在进行连续装夹、更换模具等中间操作需要接触空气之前，利用中间挡板门将下腔体进行隔绝，在上述中间操作完成后再对上腔体进行抽真空、空气置换的操作，从而保证在焊接过程中下腔体一直处于绝氧的状态，有效防止热电材料和电极等被高温氧化，操作方便，无需焊接一次加热一次，节约了能源，提高了焊接效率。

申请日：2015.04.15

申请号：CN*.X

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2015.07.08

摘要：本发明涉及一种柔性热电器件的制备方法以及制得的柔性热电器件。所述方法采用具有高导电性能的紫铜丝网作为电极材料，直接把紫铜丝网固定在模具基板上，以耐高温的硅胶作为柔性基板替代传统陶瓷基板，把P-N热电粒子交替落入栅格模具装置中实现整体焊接的基础上，在冷热端面进行设计图案的线路切割，使得彼此每对P-N半导体热电粒子在电学上串联热学上并联的彼此独立结构；并在上胶厚度可调的装置上进行耐高温柔性绝缘基本的固化操作，得到柔性器件。本发明的柔性器件，可以实现大角度弯折，不改变半导体材料本体，没有影响到进行掺杂改性后的半导体材料成分，拓宽了热电器件的应用场合，不再局限于平面场合，释放了热电器件工作过程产生的热应力。

申请日：2012.09.27

申请号：CN*.3

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.01.16

摘要：本发明提供碘方硼石的固相制备方法。以MO、M2O3、M3O4中任意一种金属氧化物与B2O3、B、I2混合置于真空氛围，加热，恒温，降至室温，即可得碘方硼石M3B7O13I的多晶粉体。所述方法具有成本低廉、操作简单、无毒气泄漏等优点。

申请日：2015.12.08

申请号：CN*.8

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2016.05.04

摘要：本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu3(1-x)Te3，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。可通过调节TmCu3(1-x)Te3体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美。

申请日：2012.12.14

申请号：CN*.4

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.05.15

摘要：本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4-xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04-0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热-电转换器件制作。

申请日：2014.12.29

申请号：CN*.4

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2016.07.27

摘要：本申请公开了一种热电材料，其特征在于，含有CsAg5Te3晶体材料。所述热电材料700K时最佳热电优化值ZT可达1.6，并且具有较高稳定性，可多次循环使用。本申请还公开了一种CsAg5Te3晶体材料的制备方法，以Cs、Ag、Te为原料，采用高温固相法，一步合成CsAg5Te3晶体材料，在大幅缩短合成时间的同时，得到高纯度的产品。

申请日：2011.11.07

申请号：CN*.3

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2012.02.15

摘要：本发明提供了一种1064nm双脉冲灯泵固体激光器，该激光器包括由单个脉冲氙灯泵浦，电光Q开关，1/4波片、偏振片，单个Nd:YAG激光晶体组成的正支虚共焦非稳腔。其特征在于双脉冲输出由一个电光Q开关实现，通过给电光Q开关可调节的阶梯形高压来调整双脉冲间隔及输出能量。该发明的激光器，重复频率1-50Hz可调，双脉冲间隔5-100us，1064nm单脉冲能量大于100mJ。

申请日：2012.12.21

申请号：CN*.1

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.04.03

摘要：本发明涉及非线性光学晶体Pb2B3O5.5(OH)2及其制备和用途。该化合物分子量为：568.83,属于正交晶系，空间群为Pnn2c，晶胞参数为a = 11.5824(7) ?, b＝ 11.7664(7) ?，c = 4.5657(2) ?， Z = 4，晶胞体积为V = 622.23(6) ?3。采用水热法制备。化合物Pb2B3O5.5(OH)2的粉末倍频(SHG)系数为KDP(KH2PO4)的3倍。

申请日：2013.07.11

申请号：CN*.1

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.11.06

摘要：本发明涉及非线性光学晶体Pb2TiOF(SeO3)2Cl及其制备和用途。该化合物属于单斜晶系空间群为P21，晶胞参数为a = 8.2863(5) ?， b = 5.3781(2) ?，c = 10.7167(6) ?，β = 111.191(6) o，Z = 2，晶胞体积为V = 445.29(4) ?3。采用水热法制备。Pb2TiOF(SeO3)2Cl的粉末倍频(SHG)系数约为KDP(KH2PO4)的9.6倍。

申请日：2014.02.23

申请号：CN*.6

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2014.06.04

摘要：本发明涉及一种非线性光学晶体β-AgI3O8及其制备方法。该化合物化学式为AgI3O8，属于四方晶系，空间群为晶胞参数为Z=8，晶胞体积为采用水热法制备得到无色粒状β-AgI3O8晶体。β-AgI3O8晶体的粉末倍频(SHG)效应为KDP(KH2PO4)的8倍。

申请日：2015.03.31

申请号：CN*.6

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2015.06.24

摘要：在本发明提出了一种用于温度探测的Sr3La0.9Eu0.1(VO4)3荧光温度探针材料及其制备方法。这种荧光材料具有两个间隔较宽的发射峰，分别位于515纳米和613纳米，有利于荧光信号甄别；并且，这两个峰强度比值随温度变化十分剧烈，其温度灵敏度比目前研究的荧光温度探针材料提高了将近一个数量级。因此，是一种极具应用前景的荧光温度探针材料。

申请日：2017.11.23

申请号：CN*.1

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2018.04.17

摘要：本发明提出具有高效处理印染废水中罗丹明B的超细深黄色表面富氧态纳米氧化钛粉体及其制备方法。这种黄色纳米氧化钛是在常温常压下采用水溶液法结合紫外线预处理及H2O2后处理两步法形成的。其粉体的制备过程是：首先在紫外线辐照下合成浅黄色纳米氧化钛悬浮液；而后，加入适量的H2O2水溶液，并烘干得到超细深黄色表面富氧态纳米氧化钛粉体。该方法具有过程简便、原料廉价、节能环保的优点。获得纳米粉体模拟太阳光及紫外光光催化活性高，可用于处理印染工业废水中高浓度的染料等环保领域。

申请日：2012.12.12

申请号：CN*.5

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.03.27

摘要：本发明公开一种近紫外光激发白光LED用玻璃陶瓷及其制备技术。该玻璃陶瓷采用熔体急冷法结合后续热处理制备，其组分和摩尔百分含量为：SiO2:25-60 mol%；Al2O3:10-40 mol%；YF3:5-25 mol%；LiF:5-25 mol%；Ga2O3:5-20 mol%；TmF3: 0.05-0.1 mol%；MnO:0.2-4.0 mol%。该材料有望开发应用于构建紫外芯片激发的新型白光LED器件。

申请日：2013.05.15

申请号：CN*.X

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2013.08.21

摘要：本发明公开了一种全固态白光发光二极管的封装方法。该包括如下步骤：提供蓝宝石外延片，在其背面键合固态荧光材料形成晶圆片，对所述晶圆片进行减薄抛光，在半导体层上制作电极，将制备好的晶圆片进行划片切割制成芯片，在支撑基板上加工电极金属层，将芯片采用覆晶工艺焊接在支撑基板上形成发光二极管，本发明采用了无介质或者高折射率介质键合工艺将固态荧光材料和蓝宝石外延片直接键合成晶圆片后再进行后续加工，由于固态荧光材料和蓝宝石外延片之间为介质或者高折射率介质膜，因此减小了全反射损耗，此外先键合后切割的工艺简化了加工工艺，提高了成品率。

申请日：2012.04.27

申请号：CN*.5

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2012.08.22

摘要：本发明涉及苯三酸镉钙异金属配合物的合成及应用。采用溶剂热的方法，反应物Cd(NO3)2·4H2O，Ca(NO3)2·4H2O，1，3，5-苯三*酸的摩尔比为1∶1∶1，采用DMF(N，N’-二*基*酰胺)和水的混合物作为溶剂，溶剂热反应升温至100-130℃，恒温2-4天，即可得到苯三酸镉钙异金属配合物。该化合物结晶于非心空间群Pna2(1)，其二阶非线性是KDP的5倍，可能成为一种新的二阶非线性光学材料，并可用于激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光纤通信等。

申请日：2014.01.08

申请号：CN*.X

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2014.04.02

摘要：本发明公开了一种硫氧化物长余辉发光材料及其制备方法。其结构式为：SrxCa1-xSyO1-y:Eu,Re，0.05≤x≤0.2，0.1≤y≤0.4，Re代表Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu元素中的至少一种。制备方法为固相反应法，于900～1200℃气氛中反应1～3小时。本发明工艺简单，成本低，所制得的发光材料物化稳定性高，能被蓝光及近紫外光有效激发，有明显余辉，可广泛用于显示照明领域。

申请日：2012.02.07

申请号：CN*.3

公开（公告）号：CN*A

公开（公告）日：2012.07.25

摘要：本发明提供了一种四钨酸盐红色荧光粉及其制备方法。该材料以钨酸盐为基质，化学式为Na5La1-xEux(WO4)4，其中铕离子掺杂的浓度范围为0.1≤x≤1.0。本发明红色荧光粉可被近紫外光、蓝光LED芯片激发，发光性能好，化学稳定性好，通过改变掺杂稀土可以进一步增强发光性能，同时制备工艺简单、生产成本低，是一种适用于高显色性白光LED的优良红色荧光粉材料。

(略)

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