英特尔半导体（大连）有限公司非易失性存储器一期项目III类X射线装置和V类放射源扩建项目建设项目环境影响登记表
审批公示
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| 英特尔半导体（ (略) ）有限公司非易失性存储器 * 期项目III类X射线装置和V类放射源扩建项目 | |||
| (略) 省 (略) 市 (略) 区淮 (略) 路 | *** | ||
| 英特尔半导体（ (略) ）有限公司 | Tiffany D. Silva | ||
| 陈乐国 | |||
| *** | * 0 | ||
| *** | |||
| 扩建 | |||
| 英特尔半导体（ (略) ）有限公司拟购III类射线装置离子注入机 * 台，X射线衍射分析仪 * 台、X射线荧光分析仪9台、X射线 * 维显微镜9台、透射电子显微镜8台、均为III类射线装置。同时采购5台离子迁移谱仪，安装 (略) 洁净室车间扩散离子注入区和实验室。 | |||
| 环保措施: 1、射线装置自有门机联锁装置；2、拟设“当心电离辐射”标志牌、拟安装工作状态指示灯；3、 装置设有急停开关；4、 公司拟为放射性工作人员配备了个人剂量卡；5、放射 (略) 辐射安全培训；6、公司拟配备剂量巡检仪，定期巡检并建立数据档案；7、 公司完善各项规章制度及应急预案；8、所有辐射操作人员参加 (略) 省辐射安全人员培训，培训上岗。9、辐射操作人员安排年度职业病体检。 | |||
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