中大招（特）［2013］054号，中山大学理工学院线列式四室等离子体增强化学气相沉积系统采购项目
中山大学竞争性谈判采购公告
项目编号：中大招（特）[2013]054号
项目名称：中山大学理工学院线列式四室等离子体增强化学气相沉积系统采购项目
中山大学根据国家招投标法律法规和学校管理要求,拟以竞争性谈判方式采购下列货物及其相关服务。
一、 采购项目内容及数量：
线列式四室等离子体增强化学气相沉积系统 1套；
详细技术参数及要求：见附件1（具体参数以采购文件为准）
二、 谈判供应商的必备资格要求：
（政府采购协议供货类产品，具备中央政府采购或广东省政府采购协议供货商资格或以下条件者）：
（一）具备条件的中华人民共和国的法人或其它组织, 注册资金不低于100万元人民币。
（二）必须具有制造标的物或合法的供货和相关项目及安装售后服务的能力。
（三）从事相关行业经营的经验不少于两年整且无不良记录。
（四）被有关部门责令停业、企业经营资格被取消、企业财产被查封和冻结或者处于破产状态的，不允许参加本项目谈判。
三、 供应商报名或资格预审必须提供的文件：企业法人营业执照副本原件和一份复印件（企业法人营业执照副本原件验后归还，复印件须加盖公章以备存查）。
四、 获取竞争性谈判采购文件（或供应商报名及资格预审）的时间：2013年5月24日至2013年5月27日（节假日除外）的每天8：30至11：30，15：00至17：00。
五、 获取竞争性谈判采购文件的地点：中山大学招投标管理中心，地址：广州市新港西路135号中山大学园南路西南区415号教学楼309室（旧生物楼、达尔文像后），邮编：510275
六、 竞争性谈判采购电子文件售价：每套售价150元人民币，以人民币银联卡刷卡方式收取，售后不退。电子文件供浏览及打印，读取如有问题，请供应商在其购买后的三个日历天内更换。
七、 竞争性谈判响应文件递交时间及地点：竞争性谈判书面纸质响应文件和电子文件请于2013年 6月14日上午8：30至9：00递交至中山大学招投标管理中心（具体时间以招标文件为准）。
八、 竞争性谈判响应文件递交截止时间：2013年6月14日上午9：00止。逾期送达的竞争性谈判响应文件为无效竞争性谈判响应文件，恕不接受。
九、 竞争性谈判时间及地点：2013年6月14日于中山大学招投标管理中心（谈判供应商的法定代表人或其授权代表须按采购文件要求携带有效身份证明在规定时间参加竞争性谈判会，逾期视为自动弃权）。
本采购项目联系人：柯老师，庄老师 联系电话：020－********查看详情中国采招网%（bidc enter.com.cn）
转803；********查看详情转806
传真：020－********查看详情， 网址：http://bidding.sysu.edu.cn
欢迎符合条件的供应商在谈判响应截止时间前积极参加。
注：供应商须对其所提供资料的真实性和谈判行为的合法性负责，如有作假或违纪，一经发现立即取消谈判资格，并将其列入不良行为记录名单，同时在网上进行实名通报，一至三年内禁止参加中山大学及其附属单位的采购活动。
中山大学招投标管理中心
线列式四室等离子体增强化学气相沉积系统 技术参数要求中山大学太阳能系统研究所线列式四室PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 系统（以下简称“系统”）即等离子体增强化学气相沉积法镀膜设备，主要用于非晶硅/单晶硅异质结（即HIT- Heterojunction with Intrinsic Thinlayer）太阳电池的研究，同时兼顾硅基薄膜太阳电池的研发以及氧化硅和氮化硅等钝化、减反射膜的制备。系统包括真空腔室系统、真空获得系统、气路系统、电源控制系统、自动控制系统、样品传输系统、循环冷却水系统、尾气处理系统、排风系统、报警系统等子系统。一、用途主要用于非晶硅/单晶硅异质结（即HIT- Heterojunction with Intrinsic Thin layer）太阳电池的研究，同时兼顾硅基薄膜太阳电池的研发以及氧化硅和氮化硅等钝化、减反射膜的制备。二、主要技术指标1.真空腔室系统（1）设备结构及尺寸由直线式排列的4个真空腔室组成，包括一个进样室和三个生长室（说明: N \P\I室，以下合称“生长室”）。4个真空腔室采用方箱式结构和线列式布局，从左至右分别为进样室、N室（生长n型非晶硅及微晶硅薄膜、Si3N4薄膜和SiO2薄膜）、P室（生长p型非晶及微晶硅薄膜）和I室（生长本征非晶及微晶硅薄膜以及镶嵌于SiO2中的硅量子点）。具体尺寸：进样室尺寸：长350×宽350×高350（里口mm）。三个生长室尺寸：长496×宽350×高350（里口mm）。使用材料：真空室组件及配件全部采用优质304不锈钢材料制造，氩弧焊接。焊接完成后，生长室（包括抽气管道、连接法兰等）要进行内表面抛光处理。外表面做喷砂亚光处理。观察窗与烘烤装置：每个腔室都设置烘烤装置。进样室设置观察窗，生长室设置观察窗和磁力转轴手动挡板。开口与密封：进样室：采用侧开盖结构。需要对样品进行预烘烤的功能。设置样品仓，可一次装入5片样品。（备注：进样室内有样品仓，可一次装入5片样品。这个不是硬性要求，但是，最好有）。生长室：采用侧开盖结构。氟橡胶密封，密封要能达到高真空腔室密封的要求。（2）电极采用平行板型电容耦合辉光放电沉积薄膜。衬底（或样品）电极在上，RF电极（同时充当气体喷淋头）在下，两者组成平行板电极辉光放电机构。衬底电极（上电极）：方形，尺寸为150mm×150mm，样品正面朝下放置，在样品下表面沉积薄膜。四周均匀分布有许多圆孔组成的反应气体抽气环，保证进气气流能均匀流过样品（或衬底）表面。莲蓬式气体喷淋头内有多层匀流板，使气流分布均匀。RF电极（下电极）：方形，尺寸为150mm×150mm，作为喷淋头，与腔体及进气管路之间有良好的绝缘性能，能进行有效的高频绝缘。具有上下升降功能，RF电极与样品之间的距离从5mm－40mm连续可调。样品托：样品托材质为钼。配备多种规格尺寸的样品托，使系统能够在尺寸为125mm×125mm的方形样品、直径4英寸（直径101.6mm）的圆片、16mm×16mm、26mm×26mm、56mm×56mm、106mm×106mm、25.4mm×76.2mm（1英寸×3英寸，厚度1-1.2mm，即玻璃载玻片）等多种尺寸的样品上制备薄膜。有效沉积面积分别对应于120mm×120mm、直径96mm、10mm×10mm、20mm×20mm、50mm×50mm、100mm×100mm、19.4mm×70.2mm。每种规格的样品托各加工1个，共计7个；存放125mm×125mm方形样品、直径4英寸圆片和25.4mm×76.2mm样品的样品托再各加工2个，共计6个；存放26mm×26mm、56mm×56mm和106mm×106mm样品的样品托再各加工1个，共计3个；因此，总共加工16个样品托。（3）设备成膜要求：衬底温度的片内均匀性控制在±3%以内。膜厚的片内均匀性控制在±3%以内。2.真空获得及测量系统包括真空抽气系统、工作气体抽气系统和真空测量系统。（1）真空抽气系统真空抽气系统配置三台北京泰岳恒真空技术研究所生产的分子泵、三台进口干泵和一台国产罗茨泵。具体分配如下：N室、P室和I室各配备一台泰岳恒分子泵，每台分子泵使用一台进口干泵作为前级。要保证三个生长室的极限真空达到6.0×10-6 Pa。工作气体的排出采用罗茨泵+进口干泵抽气。工作气体抽气系统与生长室之间有转接阀门，可只对单个生长室（或N室或P室或I室）抽气。共用情况：(a) N室和进样室共用一套分子泵+进口干泵进行抽气。(b)作为P室分子泵前级的进口干泵还通过转接阀门与罗茨泵相连，负责抽除工作废气。极限真空：进样室：6.0×10-4 Pa。生长室：6.0×10-6 Pa。系统抽速：三个生长室从大气开始抽气，在40分钟内真空度≤5×10-4Pa。系统漏率：整机漏率≤1×10-8 Pa?L/s；停泵关机12小时后，测量三个生长室（N、P、I）的真空度≤5Pa。（2）工作气体抽气系统采用罗茨泵+进口干泵抽气。系统与生长室之间有转接阀门，可只对单个生长室（或N室或P室或I室）抽气。（3）真空测量系统四个真空室都需要设置低真空测量和高真空测量。低真空测量使用热偶规，高真空测量使用电离规。3.气路系统包括气瓶柜和配气柜两部分。（1）气瓶柜配备专业气瓶柜，顶部接有排风。（备注：气瓶柜是可选项，方案可不包括气瓶柜）。（2）配气柜配备专业配气柜，顶部均接有排风。整套气路全部安装在一个密闭的配气柜中。气体的输送、分配采用计算机自动控制方式或PLC可编程控制+彩色触摸屏显示，实行封闭式全自动进气。气体分配：P室：五路气体（SiH4\ BF3 \CH4\ H2\ N2 ）；I室：四路气体 （SiH4\ H2\ CO2 \ N2）；N室：六路气体（SiH4\ PH3\ NH3\CO2 \H2 \N2）；进样室：一路气体（N2）。N2的作用说明：①将腔室充气到一个大气压，开盖。②给干泵供气。③换气时吹扫管路。质量流量控制计(MFC)：气体名称SiH4 \ PH3BF3 \ NH3\CO2\CH4H2N2MFC量程(sccm)2050500浮子流量计备注：硅烷纯度5N；磷烷使用经氢气稀释后的平衡气（磷烷在平衡气中的浓度为1%）；三氟化硼使用经氢气稀释后的平衡气（三氟化硼在平衡气中的浓度为10%）；氨气纯度6N；二氧化碳纯度5N；甲烷纯度5N；氢气纯度6N；氮气纯度6N。配备有毒气体检测与报警系统。气路中使用的气路管道、VCR接头、VCR垫片、过滤器、手动阀、气动阀和压力表等使用美国Swagelok公司产品。质量流量计和质量流量控制器使用美国MKS公司产品。对于腐蚀性及危险气体，需使用高质量、全不锈钢质量流量计（以MKS公司的流量计为例，应选择A型）。（备注：请单独对气路系统（包括配气柜）报价。排风装置用户自行解决）。4.电源控制系统配备专业电控柜（射频电源、甚高频电源（用户自行定购）、总控制电源、加热电源、烘烤照明电源、PLC可编程控制器、彩色触摸屏等）。三个生长室共用一台美国AE公司600W射频电源（频率13.56MHZ）及自动匹配器。5.自动控制系统包括反应室压力控制系统、温度控制系统，并与PLC可编程控制器、彩色触摸屏等集成。（1）压力控制系统生长室工作真空13Pa—1300Pa。生长室压力由薄膜规和蝶阀自动控制。用于生长室压力控制的薄膜规和蝶阀采用美国MKS公司产品。（2）温度控制系统衬底加热采用固定式铠装外加热方式，有保温隔热装置。P室和N室衬底温度从室温可加热至500℃。I室使用石墨加热器，衬底温度从室温可加热至700℃。样品加热采用日本岛电公司生产的SRS13表控温加热，K热电偶反馈测温，可连续自动控温，各点温度与中心点温度之差不大于±2℃，控温精度±1℃。（3）PLC可编程控制器、彩色触摸屏系统控制采用计算机自动控制方式或PLC可编程控制+触摸屏显示。系统控制主要包括气路控制、反应室压力控制和温度控制等。所有电源、人工控制部件和显示部件等都需要集成在电控柜上。（此外，电控柜上需要预留甚高频电源的位置。）6.样品传输系统（1）进样室与N室之间样品传递使用磁力进样杆手动传递样品。（备注：这个是可选项，不是硬性要求）。（2）生长室之间样品传递采用导轨、小车和磁力转轴方式在各生长室之间手动传递样品。7.循环冷却水系统配备冷却分子泵的循环冷却水系统。水箱采用不锈钢材料。采用优质全不锈钢水泵。水压0.15～0.25Mpa，水流量30L/min，水温在5℃至25℃之间可控可调。有报警装置，当流速和水压不在正常范围时，自动报警。8.尾气处理系统配备专业尾气处理系统。尾气处理系统采用燃烧加碱水喷淋处理方式。有报警装置，当尾气处理系统工作不正常时，自动报警。尾气处理系统最好能与主控系统联机，当尾气处理系统工作不正常时，PECVD主系统能自动报警，并自动停机。（备注：请单独对尾气处理系统报价。尾气处理系统是可选项，方案可不包括尾气处理系统）。9.排风系统用户自行定购10.报警系统配备危险气体检测与报警系统、停电断水安全保护报警系统。11.售后服务（1）保修：从设备验收交付使用之日起对设备免费保修2年，终身保修。质保期内设备质量出现问题，接到报修通知后，4小时响应，需要到达现场解决时，两个工作日内到达。提供7×24小时技术支持热线电话。免费提供7×24小时的email技术支持，并且在24小时内回复。（2）培训：对3～5人提供为期5～7天的培训，内容包括：设备的工作原理、组成及各部组件、控制系统的工作原理和使用方法，熟练掌握整套系统的操作规程，能够对设备的一般故障进行诊断和简单维修，进行易损件的更换，对设备能够进行日常的维护和保养。（3）提供文件：提供全套正式技术文件、操作维护说明书、各类外购件使用说明书、产品合格证、设备总图、装箱单（1套），并提供必要的备件。其他：（1）厂家需要严格按用户要求进行设备配置和报价。凡是指明生产厂家的，只能选用该厂家的产品。凡是指明进口的，只能选用进口件。未明确说明的，厂家可根据实际情况选择可靠性和耐用性不存在任何问题的国产件。（2）厂家要提供设备组成及分项报价明细表。（3）厂家提供的设备配置方案（包括气路设计方案）的合理性、完善性和价格的公道性也是厂家能否中标的非常重要的考量依据。
