标军标要求。 三、膜厚仪 进口 INFICON品牌，型号: SQC-310，配备 1 只水冷探头； 显示控制精度0.01 埃； 四、真空系统 不小于1100L/S泵组高真空抽气系统； 五、基片台尺寸 最大可镀基片尺寸/面积：Φ100mm范围内可装卡各种规格配套相应样品架可固定各类不锈钢掩膜板。基片台 查看详情>>
a、频率稳定度：膜厚仪通电15min后，测量探头频率稳定度≤±10Hz@6MHz； b、坩埚控制准确； c、膜层自动切换准确可靠。4、离子源辅助部套：配国产离子源两套； a、离子能量：0～1200eV。 b、离子束流：0～1000mA。 c、电子束流：0～1600mA。5、充气系统：对相应电子束蒸 查看详情>>
1.6、石英晶振膜厚仪水冷探头1个 2、工件架旋转升降水冷盘一套： 2.1、样品盘采用调速电机调节转速、磁流体密封；3 到 40rpm 无级调速； 2.2、水冷样品盘：样品盘可自动控制升降和旋转功能；样品盘可配置水冷样品台，水冷样品台可对样品进行冷却降温，样品台可放置直径≥4英寸基片一片，最大支持 查看详情>>
积均匀性优于2%，膜厚仪闭环控制，全自动进样及工艺控制，适用双倾角工艺。 经全球调研，目前市面上只有Adnanotek Corporation生产的双角度蒸发系统拥有独有专利技术，可实现在双角度下的样品均匀性达到2%，是唯一能实现这个指标的机型，而合肥铠柏科技有限公司是厂家在中国大陆独家代理，因此特 查看详情>>
积均匀性优于2%，膜厚仪闭环控制，全自动进样及工艺控制，适用双倾角工艺。 经全球调研，目前市面上只有Adnanotek Corporation生产的双角度蒸发系统拥有独有专利技术，可实现在双角度下的样品均匀性达到2%，是唯一能实现这个指标的机型，而合肥铠柏科技有限公司是厂家在中国大陆独家代理，因此特 查看详情>>
评工具：卡尺、铁基膜厚仪破坏拆检：钢附框现场量测壁厚时，应随机拆检进行检测。6.2 固定片（角钢）、固定胀栓指标说明：实测固定片的壁厚（T）、宽度（W）和镀锌膜厚等符合设计及规范要求（实测固定角钢的壁厚（T）、宽度（W）、规格（B×H）和镀锌膜厚等符合设计及规范要求，或实测固定胀栓材质、规格（直径和 查看详情>>
集团就北京三一智造膜厚仪QNIX4500询比价在GSP平台在线招标厅进行电子采购 ，现公开邀请合格投标人进行网上电子投标。一、项目内容项目标号：XJ202309010120项目标名：北京三一智造膜厚仪QNIX4500询比价 二、投标人资格要求：1、投标单位必须对投标的物料技术要求全部进行确认后才能参 查看详情>>
集团就北京三一智造膜厚仪询比价在GSP平台在线招标厅进行电子采购 ，现公开邀请合格投标人进行网上电子投标。一、项目内容项目标号：XJ202308210816项目标名：北京三一智造膜厚仪询比价 二、投标人资格要求：1、投标单位必须对投标的物料技术要求全部进行确认后才能参加。2、投标单位不得给他人借、卖 查看详情>>
/01 招标范围：膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下： 1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶； 2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅； 3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。 招标机构：天恒招标有限公司 查看详情>>
5/01招标范围：膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下： 1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶； 2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅； 3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。招标机构：天恒招标有限公司招标 查看详情>>
5/01招标范围：膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下： 1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶； 2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅； 3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。招标机构：天恒招标有限公司招标 查看详情>>
/01 招标范围：膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下：1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶；2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅；3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。 招标机构：天恒招标有限公司 招标人 查看详情>>
5/01招标范围：膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下：1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶；2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅；3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。招标机构：天恒招标有限公司招标人：北 查看详情>>
b05/01 膜厚仪设备 3台 膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下： 1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶； 2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅； 3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。 查看详情>>
lab05/01 膜厚仪设备 3台膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下： 1膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1m厚的光刻胶 2膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅 3膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。注：1详细技术参数见招标文 查看详情>>
lab05/01 膜厚仪设备 3台 膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下：1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶；2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅；3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。注：1）详细技术参 查看详情>>
rlab05/01膜厚仪设备3台膜厚仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下： 1）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于1μm厚的光刻胶； 2）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于100nm厚的二氧化硅； 3）膜厚仪1台，用于测量硅片表面上沉积的大于500nm厚的多晶硅。注：1）详细技术 查看详情>>
厚仪比价结果公示膜厚仪购置项目由负责人通过比价方式采购，现将比价过程及结果公示如下：1. 采购名称：膜厚仪2. 使用人：殷鹏刚3. 采购项目负责人：殷鹏刚4. 采购项目比价概况：本次采购共邀请3家供应商通过组织采购比价的形式，在保证技术参数符合要求的前提下，选择低价者成交，最终选定成交方为深圳市万德 查看详情>>
项目名称 膜厚仪 申购业务号 202304270008 采购单位名称 化学学院 成交信息 成 交 价 35600元 成交供应商 北京凯泰威尔科技有限公司 采购清单 序号 名 称 规格型号 查看详情>>
zycgr210708012023年4至12月政府意向-电子束镀膜机-A02100305电子光学及离子光学仪器-预算金额303.000000万元(人民币)招标预告
招标信息 | 2023-05-05丨 北京
清理功能，真空计、膜厚仪； 5.具备手动和全自动电控系统，完善的程序互锁，完备的防误操作设计及保护，以及配套的软件控制和监控系统预计采购时间：2023-06 查看详情>>
合同名称：清华大学膜厚仪采购三、项目编号：清设招第2022659号（0873-2201HW3L0811）四、项目名称：清华大学膜厚仪采购项目五、合同主体采购人（甲方）： 清华大学地址： 北京市海淀区双清路 30 号联系方式：010-62796222供应商（乙方）：UNICORN TECHNOLOGY 查看详情>>
合同名称：清华大学膜厚仪采购 三、项目编号：清设招第2022659号（0873-2201HW3L0811） 四、项目名称：清华大学膜厚仪采购项目 五、合同主体 采购人（甲方）： 清华大学 地址： 北京市海淀区双清路 30 号 联系方式：010-62796222 供应商（乙方）：UNICORN 查看详情>>
厚仪设备采购项目所在采购意向：zycgr220119022023年2至12月政府采购意向采购单位：zycgr22011902采购项目名称：膜厚仪设备采购预算金额：180.000000万元(人民币)采购品目：A032103电子工业专用生产设备采购需求概况 ：用于膜厚和光学参数(如折射率)的测量，3台预 查看详情>>
膜。具体参数要求：膜厚仪的厚度监测±1 nm，蒸镀的均匀度±3%实现多源蒸发，涉及4个有机蒸发源以及两个金属蒸发源实现一个大的高真空的真空室：尺寸500mm*500mm*600mm，真空度优于1×10-4Pa.单一来源采购原因及相关说明根据国家重大科研项目和任务的要求，拟采购的设备主要用于高精度有机 查看详情>>
项目名称：清华大学膜厚仪采购项目三、中标（成交）信息供应商名称：翌颖科技（上海）有限公司供应商地址：上海市闵行区紫星路588号2幢3楼330室中标（成交）金额：115.6000000（万元）四、主要标的信息序号供应商名称货物名称货物品牌货物型号货物数量货物单价(元)1翌颖科技（上海）有限公司膜厚仪F 查看详情>>
购项目名称清华大学膜厚仪采购项目品目货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器采购单位清华大学行政区域北京市公告时间2022年12月02日21:57获取招标文件时间2022年12月02日至2022年12月09日每日上午:9:00 至 11:00下午:14:00 至 16:00（北京时间，法定节假日除 查看详情>>
升降，可加热。4、膜厚仪且可反馈调节蒸镀速率。质保期：12个月供应商报名地址：点击进入 查看详情>>
蒸发电源还可以通过膜厚仪PID（闭环控制），自动调节蒸发速率；3）有机和金属蒸发源均带有水冷功能，且有机源和金属源通用。3、膜厚测量系统1）采用石英晶振膜厚仪在线测量膜厚，可以实时测量蒸发的速度和厚度；2）膜厚仪速率测量显示精度优于0.01 ?/s，厚度精度优于1 ?；频率分辨率0.01 Hz，可以 查看详情>>
膜。具体参数要求：膜厚仪的厚度监测±1 nm，蒸镀的均匀度±3%实现多源蒸发，涉及4个有机蒸发源以及两个金属蒸发源实现一个大的高真空的真空室：尺寸500mm*500mm*600mm，真空度优于1×10-4 Pa.单一来源采购原因及相关说明根据国家重大科研项目和任务的要求，拟采购的设备主要用于高精度有 查看详情>>
-加压坩埚,圆盘式膜厚仪,DSC真空笔笔头,调谐液采购单位:明泉集团股份有限公司采购内容:加压坩埚,圆盘式膜厚仪,DSC真空笔笔头,调谐液截止时间:2022-10-03收货地址:北京北京北京市顺义区北务镇联东U谷4号楼报名地址：报名地址点击,北京市 查看详情>>
室具有配备真空计、膜厚仪等原位实时监控真空状况及蒸发源束流大小；4.主腔室具有独立加热台（800℃以上）和水平制冷台（100K以下，可绕轴旋转），加热台加装原位掩膜板台，可以原位更换掩膜板，原位制备平面图形器件，掩膜板与样品间距可调；5.配至少10个蒸发源；6.主腔室预留法兰口，未来与实验室已有的其 查看详情>>
1.11配有1套膜厚仪及线性推进器，推进距离不小于100 mm。 …… 2.1 超高真空腔体，腔体直径大于110 mm，未烘烤的情况下极限真空度＜2×10^-8 Torr。 …… 1.标注“▲”的，允许提供进口产品；未标注允许采购进口产品的，如投标人所投货物为进口产品，其投标无效。2.本项目共1 查看详情>>
测，企业现状仅采用膜厚仪测定膜厚度，但随着企业研发与世界先进水平接轨，仅使用膜厚仪无法判断晶圆上膜的品质，其与国外公司采用的验证方法不同，从而无法比对试验研发结果。因此，为保证试验数据的可对比性，企业拟购置酸碱清洗机，通过规定时间内氢氟酸洗掉的晶圆上膜的厚度，来判定膜的品质，从而与国外的研发数据进行 查看详情>>
置进口膜厚监控仪，膜厚仪不低于下列指标：监测厚度显示范围：0~99.99μm、厚度显示分辨率1?、速率显示范围0~9999.9?、速率显示分辨率0.1?、监测时间显示范围1分~99小时。7.具有全自动控制系统，包括PLC、工控机、显示屏、控制软件等；质保期24个月清华大学2022-03-29 07: 查看详情>>
厚仪项目所在采购意向：清华大学2022年4月政府采购意向采购单位：清华大学采购项目名称：膜厚仪预算金额：120.000000万元(人民币)采购品目：A032103电子工业专用生产设备采购需求概况：拟采购膜厚仪1台，用于MEMS工艺薄膜厚度检测（非破坏性）。样品尺寸：8英寸基片。预计采购时间：2022 查看详情>>
厚仪项目所在采购意向：清华大学2022年6月政府采购意向采购单位：清华大学采购项目名称：膜厚仪预算金额：120.000000万元(人民币)采购品目：A032103电子工业专用生产设备采购需求概况：拟采购膜厚仪1台，用于MEMS工艺薄膜厚度检测（非破坏性）。样品尺寸：8英寸基片。预计采购时间：2022 查看详情>>
旋转样品台，双通道膜厚仪质保期12个月清华大学2021-11-30 15:02:49 查看详情>>
蒸发源切换使用8.膜厚仪：SQC-310可实现终厚及速率控制方式，膜厚仪探头1只；9.均匀性：≤±5%（基片台Φ100mm范围内）10.电器控制：PLC+触摸屏控制，可实现全自动控制方式；11.辅助设备：冷却循环水机1台，制冷量≥3kw；空气压缩机1台；质保期12个月清华大学2021-11-12 0 查看详情>>
518机组新增环保膜厚仪02宝钢工程技术集团有限公司12022-12-311询单要求询价条款一、交货地址：---二、保证金额度：0元三、商务条款：在7#和8#张紧辊之间的质检台处增加1套红外在线环保涂层膜厚仪及配套公辅等内容。四、技术条款： 查看详情>>
00001 红外线膜厚仪灯单元LAMP UNIT FOR RX-400 红外线膜厚仪灯单元LAMP UNIT FOR RX-400*检测器附件；型号规格：RX-40IR*C2364544*Kurabo 2 piece 2022-01-28 到货地点：01338840BS2109* 查看详情>>
