：基于双电源技术的射频电源，提供更宽的功率范围，500-1600W功率可调，具有更强的样品适应性；iStandby模式：提供超低功率待机功能，降低氩气消耗50%以上；水冷式设计，迅速散热，功率稳定性<0.1%，频率稳定性0.01%，可靠性有保证；自激式全固态ICP离子源，频率为27.12MHz 查看详情>>
格型号采购数量备注射频电源40MHz1-10Hz1.0来源及报价地址：http://zkcg.cas.cn/ 查看详情>>
量：2台600W的射频电源，1台1500W直流电源，1个靶枪电源切换器,1个样品台专用射频电源切换器；8.质量流量计：3路，O2（20sccm）、Ar（100sccm）、N2（20sccm）；9.控制方式：全自动程序控制。 联系人: 宋惠雪 联系电话: 0755-23256324 预计采 查看详情>>
射质电療,口)两套射频电源；,(2)#Source?功率不低于2000W,带自动匹配器的,射频电源；,(3)#Bias功率不低于500W,带自动匹配器的射频,电源。,3.基底电极〔下电极),(1)下电极直径大于150mm,6英寸基片可单片装,感应耦合等离子体增强化学气相,沉积系统1套,载，石英或陶瓷 查看详情>>
磁控溅射配备直流和射频电源；6. 每个磁控溅射腔体配备不少于4个磁控溅射靶枪；7. 样品台可旋转；8. 电子束蒸发腔体配备不少于3个坩埚； 9. 质保期:3年。 500 2023年12月 2 反应离子刻蚀机 202311146 A02100699 其他试验仪器及装置 南京大学拟采购反应离子刻蚀 查看详情>>
磁控溅射配备直流和射频电源；6. 每个磁控溅射腔体配备不少于4个磁控溅射靶枪；7. 样品台可旋转；8. 电子束蒸发腔体配备不少于3个坩埚； 9. 质保期:3年。 预计采购时间： 2023-12 备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和 查看详情>>
过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。 需满足的要求：可适配6/8寸晶圆；支持至少7路供气（H2/Ar/O2/SF6/Cl2/BCl3/SiCl4），配备供气管道及流量控制器；极限真空度：传片腔≤10P 查看详情>>
过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。 需满足的要求：可适配6/8寸晶圆；支持至少7路供气（H2/Ar/O2/SF6/Cl2/BCl3/SiCl4），配备供气管道及流量控制器；极限真空度：传片腔≤10P 查看详情>>
过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。通过控制功率大小影响等离子体的电离率，从而控制等离子体的密度。由连接在腔室内下方的电极上的第二套射频电源为等离子提供能量。两套RF电源的配置，使得在低离子能量条件下增加 查看详情>>
过自动匹配网络控制射频电源、一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。通过控制功率大小影响等离子体的电离率，从而控制等离子体的密度。由连接在腔室内下方的电极上的第二套射频电源为等离子提供能量。两套RF电源的配置，使得在低离子能量条件下增加 查看详情>>
体系统: 配备3套射频电源及匹配器； （9）上电极系统：Source射频电源功率3000W，可用功率范围500-2400W可调，13.56MHz, 带自动匹配器； （10）下电极系统：Bias射频电源功率1500W，可用功率范围至少50-600W可调，13.56MHz, 带自动匹配器;射频匹配速度＜ 查看详情>>
.4 配有2台进口射频电源，功率不小于300 W、13.56 MHz、可自动调谐；5 气路系统5.1 配有3个工艺气路，可通氧气、氩气、氮气。配备进口质量流量计3套（流量0-50 SCCM）；5.2 配有1个放气用的氮气气路；5.3 每个气路均配有气动阀门；★5.4将闸板阀关闭到预定位置，流量计自动 查看详情>>
蚀设备，其原理是将射频电源的能量经由电感线圈,以磁场耦合的形式进入反应腔内部,从而产生等离子体并用于刻蚀的设备。其刻蚀原理也属于广义的反应离子刻蚀。预计采购时间：2023-11备注：本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 查看详情>>
刻蚀设备，是一种将射频电源的能量经由电感线圈,以磁场耦合的形式进入反应腔内部,从而产生等离子体并用于刻蚀的设备。预计采购时间：2023-11备注：本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 查看详情>>
膜刻蚀设备原理是将射频电源的能量经由电感线圈,以磁场耦合的形式进入反应腔内部,从而产生等离子体并用于刻蚀的设备。等离子刻蚀技术是微细加工技术的重要组成部分，是化学过程和物理过程共同作用的结果。主要用于半导体材料微细图形干法刻蚀，可以刻蚀多种化合物。预计采购时间：2023-11备注：本次公开的采购意向 查看详情>>
为北儒，PECVD射频电源两台，型号为RP-4400-40M-F，PVD电池设备八台，型号为DC3030。本次项目PECVD/PVD智能产线研发设备购买主要应用于太阳能电池板制造生产线开发，在该类型设备基础上进行二次开发及改造。使其完全符合生产太阳能电池板工艺制造的产线。 预计采购时间： 202 查看详情>>
0℃以上，配直流和射频电源，可充氮气和氧气做反应溅射。整机要求一年内交货，质保一年。 联系人: 褚老师 联系电话: 0755-26903031 预计采购时间: 2023-08 备注: 无 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文 查看详情>>
3英寸靶枪；带1套射频电源和2套直流电源，沉积均匀性：±2.5% @100mm基片 800 2023年09月 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 华中科技大学采购与招标中心 2023年07月24日 查看详情>>
直流脉冲电源和１台射频电源；辅助沉积配1台12KW偏压电源和1套低能量阳极层离子源L500mm；6. ★自动恒压控制系统：薄膜规+电机驱动控制阀+控制软件闭环自动控制；保持镀膜时工艺压力稳定；7.工艺气体：4路高精度质量流量控制器，分别控制工艺气体Ar/N2/CH4/O2；8.水冷系统：配制冷量大于 查看详情>>
3英寸靶枪；带1套射频电源和2套直流电源，沉积均匀性：±2.5% @100mm基片预计采购时间：2023-09备注：本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 查看详情>>
脉冲溅射电源，1台射频电源，满足各靶可独立/顺次/共同工作； ⑥控制系统：需采用PLC+触摸屏半自动控制，可实现自动一键式抽真空； ⑦ 三路气体控制系统：Ar、N2、O2，配安全气柜； ⑧冷却系统：冷却循环水机1台，≥2P，水压0.2～0.3MPa，水温10～25℃，流量≥30L/min； ⑨小型空 查看详情>>
控溅射靶、自动匹配射频电源、直流脉冲溅射电源、脉冲偏压电源、样品台、样品台加热、真空系统、真空测量系统、气路系统、PLC+触摸屏+工控机控制系统等组成；设备主机与控制一体化布局，结构紧凑、美观，便于操作及维护。 40.0000 2023年07月 无 2 无机化学重点学科建设项目 采购内容 查看详情>>
O2, CF4；射频电源功率不低于600W；成膜厚度不均匀性与再现性≤4%。预计采购时间：2023-08备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。,西安 查看详情>>
1、配有直流一个加射频电源两个，配有分子泵，配有偏压组件； 12、服务：负责整套设备安装到位，并负责调试及相应的培训。保修期至少1年； 13、配有Al，SiO2靶材； 14、镀膜参数片内均匀性上下误差在10%以内。 36.96 否 2023年08月 本次公开的采购意向是本单位 查看详情>>
枪度数可调；5) 射频电源1套，直流电源2套。(三)采购标的数量:1套(四)采购标的需满足的质量、服务、安全、时限等要求:1）货物收到后，由户指定地点和时间进行安装；2）在用户所在地对用户进行现场的操作/维护培训，直至掌握。培训内容包括仪器的技术原理、仪器操作、数据处理、仪器基本维护等。仪器交货后一 查看详情>>
量：1台600W的射频电源，2台1500W直流电源，1个电源切换器；8、样品台转速0-20RPM可调；9、质量流量计：3路,O2（20sccm）、Ar（100sccm）、N2（20sccm）。10、保修时间1年。联系人:宋惠雪联系电话:*预计采购时间:2023-06备注:无本次公 查看详情>>
使用直流溅射电源，射频电源使用高频电源，实际情况以招标公告为准。49否2023年12月本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。青岛大学2023年04月14日 查看详情>>
≥3个，配备直流、射频电源，φ6英寸面内膜厚均匀性±5％以内，可基板加热，有load-lock，可连续传片 本项目实行国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位等政策1,850,000.002023年04月本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相 查看详情>>
≥3个，配备直流、射频电源，φ6英寸面内膜厚均匀性±5％以内，可基板加热，有load-lock，可连续传片 本项目实行国家关于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位等政策1,850,000.002023年04月本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相 查看详情>>
配的直流电源，一套射频电源，三路MFC控制进气等，可以满足高精度、高质量的特殊功能薄膜材料的生长。该高真空磁控溅射镀膜仪不仅可以使用DC或RF电源生长普通的薄膜材料，还能够通过DC与RF电源或者DC与DC电源的结合实现复杂物质的共溅射生长。同时，配备的800℃加热样品盘能够生长部分高难度的高要求的氮 查看详情>>
量：1台600W的射频电源，2台1500W直流电源，1个电源切换器；8、样品台转速0-20RPM可调；9、质量流量计：3路,O2（20sccm）、Ar（100sccm）、N2（20sccm）。10、保修时间1年。联系人:宋惠雪联系电话:*预计采购时间:2023-05备注:无本次公 查看详情>>
配的直流电源，一套射频电源，三路MFC控制进气等，可以满足高精度、高质量的特殊功能薄膜材料的生长。该高真空磁控溅射镀膜仪不仅可以使用DC或RF电源生长普通的薄膜材料，还能够通过DC与RF电源或者DC与DC电源的结合实现复杂物质的共溅射生长。同时，配备的800℃加热样品盘能够生长部分高难度的高要求的氮 查看详情>>
能薄膜制备，直流加射频电源设计除了实现高质量金属、氧化物、氮化物等薄膜制备，多靶设计能够实现多金属及氧化物、碳化物等共溅射以及多级次膜层的原位制备，避免了开舱换靶带来的氧化和制备缺陷，超高真空条件下能够精确调控薄膜显微组织和界面结构，亦是活泼金属镁材料制备的有效保障。该系统设计搭载的自由控温组件可有 查看详情>>
源，300W RF射频电源；3、真空能力：极限真空5 x 10-7Torr，20分钟可达到10-6Torr级别的工艺真空；4、样品台：6”不锈钢射频偏压的旋转样品台，可支持最大6”晶圆或托盘（可放置多个小片），可快速选择优化的低速3RPM和和高速10RPM，样品台最高可加热到300C；5、成膜：均匀 查看详情>>
F3，SF6；RF射频电源功率不小于300W；可容纳的样品尺寸不小于4英寸；刻蚀均匀性≤±5%；可以实现氧化硅、氮化硅、石墨烯、六方氮化硼等材料的刻蚀。预计采购时间：2023-02备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。,上海 查看详情>>
F3，SF6；RF射频电源功率不小于300W；可容纳的样品尺寸不小于4英寸；刻蚀均匀性≤±5%；可以实现氧化硅、氮化硅、石墨烯、六方氮化硼等材料的刻蚀。预计采购时间：2023-03备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。,上海 查看详情>>
13.56 MHz射频电源，功率0-1000 W可调，配备自动匹配器，匹配时间精度优于5秒。 7）粉体系统 独立反应腔：圆柱形可旋转腔，反应腔可拆卸，配备体积为1L的反应腔。腔体采用316 L不锈钢材质，漏率≤ 5×10-10Pa·m3/s。旋转轴处采用磁流体密封，且旋转的速度可调节。旋转反应腔最高 查看详情>>
有5个直流和4,个射频电源接口，用于输出模式、定点、线性缓慢升温和等离子检,测控制；,5.2操作软件应具备带多项自动保护功能、系统故障自检,功能和提示报警功能；不少于100个单独密码保证工艺膜层和工艺,安全性，采用多级进入系统操作，确保系统运行和真空控制的安全,5.3具有开关位置直流电源反馈，直流偏 查看详情>>
兼容4英寸和破片；射频电源：ICP电源：13.56MHz，1500W; 偏压电源：13.56MHz，300W；工艺温度：10℃到30℃可控预计采购时间：2023-01备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。,上海 查看详情>>
量：1台600W的射频电源，2台1500W直流电源，1个电源切换器；8、样品台转速0-20RPM可调；9、质量流量计：3路,O2（20sccm）、Ar（100sccm）、N2（20sccm）。10、保修时间1年。联系人:宋惠雪联系电话:0755-23256276预计采购时间:2023-01备注:无本 查看详情>>
