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“绍兴退火”招标变更信息

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8*8*2(定做)退火处理|T1|200个13%2023-12-30浙江省,绍兴市,上虞区 沥海镇畅和路21号浙江大唐国际绍兴江滨热电有限责任公司87直流电源|CPDDA32||2个13%2023-12-30浙江省,绍兴市,上虞区 沥海镇畅和路21号浙江大唐国际绍兴江滨热电有限责任公司88制冷用热力 查看详情>>
为:①球墨铸管是指退火离心铸造的球墨铸铁管。②管材标准长度为6?m,允许偏差为±30mm。③中标投标人在球墨铸铁管运输中注意采取包装防护措施,避免碰撞。④球墨铸管采用柔性t型接口,K9级。1.2技术要求:1.2.1.货物规范与技术要求:材料的制造、技术、质量、测试、检验等应遵循GB标准规范的最新版本 查看详情>>
为:①球墨铸管是指退火离心铸造的球墨铸铁管。②管材标准长度为6?m,允许偏差为±30mm。③中标投标人在球墨铸铁管运输中注意采取包装防护措施,避免碰撞。④球墨铸管采用柔性t型接口,K9级。 1.2技术要求:1.2.1.货物规范与技术要求:材料的制造、技术、质量、测试、检验等应遵循GB标准规范的最新 查看详情>>
有管道交付前需进行退火、固溶处理、酸洗钝化处理,所有焊接端面打坡口。其它要求详见招标文件。 资金来源:自筹资金 2.交货地点和交货时间: 交货地点:浙江省绍兴市柯桥区浙江宝万碳纤维有限公司绍兴柯桥原丝项目施工现场 交货时间:合同签订后20天内开始交货,合同签订后6个月内交完 3.宝华 查看详情>>
   绍兴柯桥原丝项目一期不锈钢管道变更公告

招标变更 | 2023-08-14丨 浙江

有管道交付前需进行退火、固溶处理、酸洗钝化处理,所有焊接端面打坡口。其它要求详见招标文件。 资金来源:自筹资金 2.交货地点和交货时间: 交货地点:浙江省绍兴市柯桥区浙江宝万碳纤维有限公司绍兴柯桥原丝项目施工现场 交货时间:合同签订后20天内开始交货,合同签订后6个月内交完 3.宝华 查看详情>>
有管道交付前需进行退火、固溶处理、酸洗钝化处理,所有焊接端面打坡口。 其它要求详见招标文件。 变更为:(1)原料管坯材料牌号为ASTM A106 Gr.B、20号钢、Q235B。 (2)管道壁厚允许偏差根据GB/T8163《输送流体用无缝管道》、GB/T3091-2015《低压流体输送用螺旋焊接钢管 查看详情>>
   绍兴柯桥原丝项目一期不锈钢管道变更公告

招标变更 | 2023-08-03丨 浙江

有管道交付前需进行退火、固溶处理、酸洗钝化处理,所有焊接端面打坡口。 其它要求详见招标文件。 变更为:(1)原料管坯材料牌号为ASTM A312/A358 TP 304L/316L及GB/T14976 304L。 (2)管道壁厚允许偏差根据GB/T8163-2018《输送流体用无缝钢管》及GB/T3 查看详情>>
   绍兴原丝项目一期碳钢管道变更公告

招标变更 | 2023-07-28丨 浙江

有管道交付前需进行退火、固溶处理、酸洗钝化处理,所有焊接端面打坡口。 其它要求详见招标文件。, 变更为:(1)原料管坯材料牌号为ASTM A106 Gr.B。 (2)管道壁厚允许偏差根据GB/T8163《输送流体用无缝管道》最新标准执行,管道表面仅允许存在深度不超过厚度负偏差之半的划痕、轧痕、麻点、 查看详情>>
目第三十批--低压退火设备项目名称(英文):VF LP Alloy(H2 2Line)招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
硅薄膜层/2 低压退火设备 1 实现鼓状晶圆快速退火,修复表面晶格损伤,均匀性好/3 硼磷氧化扩散炉 1 实现硼磷氧化扩散,均匀性好/4 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好/5 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好/6 氧化物薄膜生长机 3 设备通过反应 查看详情>>
---光阻固化低温退火炉项目名称(英文):VF Polyimide Cure (AGC Licence)招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
二十三批---低压退火设备项目名称(英文):VF LP Alloy(H2 2Line)招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
项目第九批——低压退火设备项目实施地点:中国浙江省招标产品列表(主要设备):序号 产品名称 数量 简要技术规格备注1 PDFN 压机 1 1.合模:合模夹紧方式采用交流伺服马达控制,合模压力为30t~180t可调2.引线框架方向识别判断3.料饼自动供给并自动检测4.注胶压力3.92~49.0knf, 查看详情>>
批——光阻固化低温退火炉项目名称(英文):VF Polyimide Cure招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
项目第九批——低压退火设备项目名称(英文):Thin wafer final alloy招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
二十批设备——低压退火设备项目实施地点:中国浙江省招标产品列表(主要设备):序号 产品名称 数量 简要技术规格备注1 高束流离子注入机 2 实现阳离子注入晶圆内部,达到总剂量,厚度分布及均匀性指标/2 氧化刻蚀机 2 1、实现氧化刻蚀要求etch rate >1500A/min2、主刻蚀比氧化 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
,均匀性好4 低压退火设备 2 实现低压成膜,均匀性好5 氮化硅生长机 1 实现氮化硅生长,均匀性好6 非掺杂多晶硅生长机 1 实现非掺杂多晶硅生长,修复表面晶格损伤,均匀性好7 低压成膜氧化炉(TEOS) 2 实现低压成膜,均匀性好8 干法去胶机 3 1.Strip Rate:56000+/-30 查看详情>>
二十批设备——低压退火设备重新招标澄清或变更公告(1)发布时间:2020-01-20招标项目编号:0613-204022150087/04项目名称:中芯绍兴IGBT模组生产线项目第二十批设备——低压退火设备项目名称(英文):VF LP Alloy招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海 查看详情>>
二十批设备——低压退火设备项目名称(英文):VF LP Alloy招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
#第六批——激光热退火机项目名称(英文):Laser Thermal Annealing for deep FS implants招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
   场氧化层生长和退火反应炉招标变更

招标变更 | 2018-05-11丨 浙江

公司场氧化层生长和退火反应炉项目名称(英文):VF Field Oxide and Anneal招标人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司招标机构:上海机电设备招标有限公司招标机构代码:0613招标方式:公开招标投标报价方式:线下投标招标结果:重新招标 查看详情>>
“1)球墨铸管是指退火离心铸造的球墨铸铁管。(GB/13295-2008)和10)其它未明要求按照《离心铸造球墨铸铁管》(GB13295-2008)”中的“GB13295-2008”改成“GB/T13295-2013”答:按GB13295-2013标准执行。2、技术条款建议如下:能否将“2)管材标准 查看详情>>
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