:LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管各1台资金到位或资金来源落实情况:已落实项目已具备招标条件的说明:已具备2、招标内容招标项目编号:0617-244091HY1080招标项目名称:陕西光电子先导院科技有限公司LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管采购 查看详情>>
:LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管各1台资金到位或资金来源落实情况:已落实项目已具备招标条件的说明:已具备2、招标内容招标项目编号:0617-244091HY1080招标项目名称:陕西光电子先导院科技有限公司LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管采购 查看详情>>
:LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管各1台资金到位或资金来源落实情况:已落实项目已具备招标条件的说明:已具备2、招标内容招标项目编号:0617-244091HY1080招标项目名称:陕西光电子先导院科技有限公司LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管采购 查看详情>>
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:LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管各1台资金到位或资金来源落实情况:已落实项目已具备招标条件的说明:已具备2、招标内容招标项目编号:0617-244091HY1080招标项目名称:陕西光电子先导院科技有限公司LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管采购 查看详情>>
:LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管各1台资金到位或资金来源落实情况:已落实项目已具备招标条件的说明:已具备2、招标内容招标项目编号:0617-244091HY1080招标项目名称:陕西光电子先导院科技有限公司LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管采购 查看详情>>
承烧座、压盖采购（氮化硅结合碳化硅）询比公告 西安西电高压电瓷有限责任公司的承烧座、压盖采购（氮化硅结合碳化硅）正在进行询比活动，现公开邀请合格报价人参加。 一、询比内容 项目编号：0501-XJ-2404-2074 项目名称：承烧座、压盖采购（氮化硅结合碳化硅） 项目内容：承烧座、压盖采购（ 查看详情>>
技术研究院有限公司氮化硅陶瓷基板压力烧结炉采购招标公告（招标编号：0866-24B2SXQY0018）一、招标条件本招标项目深圳陕煤高新技术研究院有限公司氮化硅陶瓷基板压力烧结炉采购项目，招标人为深圳陕煤高新技术研究院有限公司，资金来源为企业自筹，出资比例100%。该项目已具备招标条件，现对该项目进 查看详情>>
垫块采购（氮化硅结合碳化硅）询比公告 西安西电高压电瓷有限责任公司的垫块采购（氮化硅结合碳化硅）正在进行询比活动，现公开邀请合格报价人参加。 一、询比内容 项目编号：0501-XJ-2401-0453 项目名称：垫块采购（氮化硅结合碳化硅） 项目内容：垫块采购（氮化硅结合碳化硅） 项目 查看详情>>
技术研究院有限公司氮化硅陶瓷基板压力烧结炉采购招标公告（招标编号：0866-24B2SXQY0018）一、招标条件本招标项目深圳陕煤高新技术研究院有限公司氮化硅陶瓷基板压力烧结炉采购项目，招标人为深圳陕煤高新技术研究院有限公司，资金来源为企业自筹，出资比例100%。该项目已具备招标条件，现对该项目进 查看详情>>
卡具询价（氮化硅结合碳化硅）询比公告 西安西电高压电瓷有限责任公司的卡具询价（氮化硅结合碳化硅）正在进行询比活动，现公开邀请合格报价人参加。 一、询比内容 项目编号：0501-XJ-2401-0127 项目名称：卡具询价（氮化硅结合碳化硅） 项目内容：卡具询价（氮化硅结合碳化硅） 项目 查看详情>>
承烧座、压盘询价（氮化硅结合碳化硅）询比公告 西安西电高压电瓷有限责任公司的承烧座、压盘询价（氮化硅结合碳化硅）正在进行询比活动，现公开邀请合格报价人参加。 一、询比内容 项目编号：0501-XJ-2312-49770 项目名称：承烧座、压盘询价（氮化硅结合碳化硅） 项目内容：承烧座、压盘询价 查看详情>>
盘 碳化硅结合氮化硅ф550*ф300*20 块 20 M00000489 φ340双面卡具 460*340*35 块 100 LL000049 φ360扇形卡具 120*30 块 400 二、报名截止时间： 三、报价截止时间 查看详情>>
、报价人资质要求：氮化硅结合碳化硅生产厂家，新供方要提供样品进行试用 五、有意者可与李永康联系，电话： 邮箱：185295940@qq.com 。 查看详情>>
、报价人资质要求：氮化硅结合碳化硅生产厂家，新供方要提供样品进行试用 五、有意者可与李永康联系，电话： 邮箱：185295940@qq.com 。 附件： 查看详情>>
、报价人资质要求：氮化硅结合碳化硅生产厂家，新供方要提供样品进行试用 五、有意者可与李永康联系，电话： 邮箱：185295940@qq.com 。 附件清单及报名平台请按以下方式操作获取，点击这里 http://eps.xd.com.cn:8881/ 进入报价平台，可参与报名，在报价平 查看详情>>
片上沉积一层致密的氮化硅或者二氧化硅。主要技术规格如下： 适用于6英寸； 配置TEOS沉积SiO2炉管，沉积Si3N4炉管； 恒温区控温精度优于±1℃； 膜层均匀性优于±3%； 单炉沉积能力≥50片/炉； 更多技术指标详见第八章。 3.投标人资格要求 3.1资格要求： 关境外提供的产品：由关境外投标 查看详情>>
片上沉积一层致密的氮化硅或者二氧化硅。主要技术规格如下： 适用于6英寸； 配置TEOS沉积SiO2炉管，沉积Si3N4炉管； 恒温区控温精度优于±1℃； 膜层均匀性优于±3%； 单炉沉积能力≥50片/炉； 更多技术指标详见第八章。 3.投标人资格要求 3.1资格要求： 关境外提供的产品：由关境外投标 查看详情>>
片上沉积一层致密的氮化硅或者二氧化硅。主要技术规格如下：适用于6英寸配置TEOS沉积SiO2炉管，沉积Si3N4炉管恒温区控温精度优于1膜层均匀性优于3%单炉沉积能力50片/炉更多技术指标详见第八章。3.投标人资格要求3.1资格要求：关境外提供的产品：由关境外投标人参与投标。一旦中标，投标人必须是与 查看详情>>
片上沉积一层致密的氮化硅或者二氧化硅。主要技术规格如下： 适用于6英寸； 配置TEOS沉积SiO2炉管，沉积Si3N4炉管； 恒温区控温精度优于±1℃； 膜层均匀性优于±3%； 单炉沉积能力≥50片/炉； 更多技术指标详见第八章。 3.投标人资格要求 3.1资格要求： 关境外提供的产品：由关境外投标 查看详情>>
片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备，其由PECVD等离子体增强化学气相沉积设备1台RIE反应离子刻蚀机1台等组成提供分项报价。主要技术指标：适用6英寸圆片。射频系统配置有低频和高频双射频源沉积效率6片/小时6英寸1m厚度SiO2标准片，含片间清洗烘片吹扫等环节载片台控温范围不小于50400 查看详情>>
片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备，其由*****等离子体增强化学气相沉积设备*台、***反应离子刻蚀机*台等组成（提供分项报价）。 主要技术指标： 适用*英寸圆片。 射频系统配置有低频和高频双射频源； 沉积效率≥*片/小时（*英寸*μ*厚度****标准片，含片间清洗、烘片、吹扫等环节）； 查看详情>>
片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备，其由PECVD等离子体增强化学气相沉积设备1台、RIE反应离子刻蚀机1台等组成（提供分项报价）。 主要技术指标： 适用6英寸圆片。 射频系统配置有低频和高频双射频源； 沉积效率≥6片/小时（6英寸1μm厚度SiO2标准片，含片间清洗、烘片、吹扫等环节）； 查看详情>>
片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备，其由PECVD等离子体增强化学气相沉积设备1台、RIE反应离子刻蚀机1台等组成（提供分项报价）。 主要技术指标： 适用6英寸圆片。 射频系统配置有低频和高频双射频源； 沉积效率≥6片/小时（6英寸1μm厚度SiO2标准片，含片间清洗、烘片、吹扫等环节）； 查看详情>>
相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜，在掩膜的保护下实施深硅干法刻蚀，实现MEMS芯片微结构的加工。成膜及深硅刻蚀系统由低压化学气相沉积系统1套氧化扩散炉1套DRIE深硅干法刻蚀机1套等组成。主要技术指标：适用6英寸圆片恒温区控温精度优于1膜层均匀性优于3%刻蚀均匀性优于3%深 查看详情>>
相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜，在掩膜的保护下实施深硅干法刻蚀，实现MEMS芯片微结构的加工。成膜及深硅刻蚀系统由低压化学气相沉积系统1套、氧化扩散炉1套、DRIE深硅干法刻蚀机1套等组成。 主要技术指标： 适用6英寸圆片； 恒温区控温精度优于±1℃； 膜层均匀性优于±3 查看详情>>
英寸，向下兼容 2氮化硅膜厚均匀性片内：3%氮化硅膜厚均匀性片间：5% 3残余应力：75 MPa4高温退火温度：1250无业注册信息复印件法人授权书复印件加盖公章北京市海淀区花园路7号新时代大厦9层购买招标文件。招标文件售价800元或120美元。如需邮寄，须另付邮资50元人民币，售后不退。请按招标代 查看详情>>
，向下兼容；2）*氮化硅膜厚均匀性（片内）：≤3%；氮化硅膜厚均匀性（片间）：≤5%；3）*残余应力：＜75 MPa；4）*高温退火温度：≥1250℃；无3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:1）境内投标人须具有有效企业营业执照；境外的投标人须具备有效的公司注册证书或相关注册信息；2）境内的投 查看详情>>
相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜，在掩膜的保护下实施深硅干法刻蚀，实现MEMS芯片微结构的加工。成膜及深硅刻蚀系统由低压化学气相沉积系统1套、氧化扩散炉1套、DRIE深硅干法刻蚀机1套等组成。 主要技术指标： 适用6英寸圆片； 恒温区控温精度优于±1℃； 膜层均匀性优于±3 查看详情>>
个BFDZT014氮化硅炉管BFDZT014其他物资2.0个2.0个BFDZT014氧化炉管QG031843-019B-其他物资1.0个1.0个QG031843-019B-报价地址：https://bs.norincogroup-ebuy.com/ 查看详情>>
相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜，在掩膜的保护下实施深硅干法刻蚀，实现MEMS芯片微结构的加工。成膜及深硅刻蚀系统由低压化学气相沉积系统*套、氧化扩散炉*套、DRIE深硅干法刻蚀机*套等组成。主要技术指标：适用*英寸圆片；恒温区控温精度优于±*℃；膜层均匀性优于±*%；刻蚀 查看详情>>
相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜，在掩膜的保护下实施深硅干法刻蚀，实现MEMS芯片微结构的加工。成膜及深硅刻蚀系统由低压化学气相沉积系统1套、氧化扩散炉1套、DRIE深硅干法刻蚀机1套等组成。 主要技术指标： 适用6英寸圆片； 恒温区控温精度优于±1℃； 膜层均匀性优于±3 查看详情>>
相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜，在掩膜的保护下实施深硅干法刻蚀，实现MEMS芯片微结构的加工。成膜及深硅刻蚀系统由低压化学气相沉积系统1套、氧化扩散炉1套、DRIE深硅干法刻蚀机1套等组成。主要技术指标：适用6英寸圆片；恒温区控温精度优于±1℃；膜层均匀性优于±3%；刻蚀 查看详情>>
锆高纯超细粉末10氮化硅高纯超细粉末11氮化钛高纯超细粉末12碳化钨高纯超细粉末13Ti3SiC2粉粉末14石墨粉高纯超细粉末15二硫化钼高纯粉末16环氧树脂双酚A17不锈钢316L供应商资质要求1、具有独立法人资格，持有效营业执照或事业单位法人证书，具有独立签订合同的权利和良好履行合同的能力。2、 查看详情>>
2.超低损耗硅基氮化硅晶圆工艺关键问题研究（申请代码1选择F05的下属代码） 围绕硅基氮化硅光子芯片晶圆制造存在的损耗高、可靠性差等瓶颈问题，开展晶圆级超低损耗氮化硅光子芯片工艺研究，探索波导损耗机理，研究高质量氮化硅薄膜生长的应力控制及器件工艺方法，实现超低损耗和高良率的晶圆级氮化硅光子芯片 查看详情>>
英寸，向下兼容 2氮化硅膜厚均匀性片内：3%氮化硅膜厚均匀性片间：5% 3残余应力：75 MPa4高温退火温度：1250无业注册信息复印件法人授权书复印件加盖公章北京市海淀区花园路7号新时代大厦9层购买招标文件。招标文件售价800元或120美元。如需邮寄，须另付邮资50元人民币，售后不退。请按招标代 查看详情>>
，向下兼容；2）*氮化硅膜厚均匀性（片内）：≤3%；氮化硅膜厚均匀性（片间）：≤5%；3）*残余应力：＜75 MPa；4）*高温退火温度：≥1250℃；无3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:1）境内投标人须具有有效企业营业执照；境外的投标人须具备有效的公司注册证书或相关注册信息；2）境内的投 查看详情>>
西陕焦化工有限公司氮化硅结合碳化硅砖及火泥采购二次招标公告1招标条件本招标项目氮化硅结合碳化硅砖及火泥采购，招标人为陕西陕焦化工有限公司。资金来自企业自筹，该项目已具备招标条件，陕西秦源招标有限责任公司受陕西陕焦化工有限公司的委托，现对该项目进行国内公开招标。2项目概况招标范围2.1项目名称：氮化硅 查看详情>>
化镓（协助调试）、氮化硅\氧化硅工艺（工艺验收指标）3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:1)投标人： a.合法注册（境内投标人为独立法人）b.投标人为贸易公司或代理商时，必须持有制造商针对本次招标项目向投标人出具的合法有效授权书。c.投标人持有开户银行在开标日期前三个月内开具的资信证明（境内 查看详情>>
西陕焦化工有限公司氮化硅结合碳化硅砖及火泥采购招标公告1招标条件本招标项目氮化硅结合碳化硅砖及火泥采购，招标人为陕西陕焦化工有限公司。资金来自企业自筹，该项目已具备招标条件，陕西秦源招标有限责任公司受陕西陕焦化工有限公司的委托，现对该项目进行国内公开招标。2项目概况招标范围2.1项目名称：氮化硅结合 查看详情>>
