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“北京生产设备”招标预告信息

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30300电子工业生产设备 采购需求概况: 采购数量:1套性能要求:1、支持标准6英寸晶圆曝光及晶圆键合对准。2、曝光分辨率:≤1μm。3、曝光波长:LED光源,波长365nm、405nm、436nm。4、光强均匀性:6英寸范围内优于4%。5、正面套刻对准精度:±0.5μm。6、配备有气动防震台 查看详情>>
2330100电工生产设备 采购需求概况: 加工尺寸:4英寸直径;本底真空<5*10-7mbar;射源装置, 三套 预计采购时间: 2024-09 备注: 无 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,北京市 查看详情>>
2330100电工生产设备 采购需求概况: 曝光波长:385 nm;数字掩模板分辨率:1920 × 1080,单像素尺寸不超过7.6 μm;至少支持两个光刻镜头 预计采购时间: 2024-06 备注: 无 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购 查看详情>>
   磁控溅射镀膜机招标预告

招标预告 | 2024-05-15丨 北京

30300电子工业生产设备采购需求概况 :拟采购数量:1套。包含自动进样室;低温泵、分子泵组;全量程真空计,低真空计等;脉冲直流电源,射频溅射电源; 质保期1年以上,交货期不超过6个月,提供送货安装调试。预计采购时间:2024-07备注:本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目 查看详情>>
   四腔超高真空约瑟夫森结制备系统招标预告

招标预告 | 2024-05-15丨 北京

30300电子工业生产设备采购需求概况 :拟采购数量:1套。拟采购多腔体可倾角电子束蒸镀系统,具有离子刻蚀功能,蒸镀时样品可以任意角度倾斜旋转,质保期1年以上预计采购时间:2024-07备注:本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 查看详情>>
   高温高压光学浮区法单晶炉招标预告

招标预告 | 2024-05-15丨 北京

30300电子工业生产设备采购需求概况 :拟采购高温高压光学浮区法单晶炉1台,质量具CE认证,保证期12个月。供货方对操作人员进行技术培训。货物出现故障后,供货方24小时给出初步反馈。预计采购时间:2024-07备注:本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和 查看详情>>
30300电子工业生产设备 采购需求概况: 专门应用于科学研究领域的单原子层沉积系统,在90℃低温条件下生长高质量氧化铪,生长薄膜均匀性高,缺陷数量少,可重复性高。低温生长栅介质对于微纳米平台制作晶体管器件和其他纳米器件具有很大的推动作用,尤其生长介质的稳定性和可重复性可以满足微纳米平台众多课题 查看详情>>
30300电子工业生产设备采购需求概况 :采购数量1,该设备主要用于和现有分子束外延系统集成,在SiGe材料上原位氧化或生长氧化物介电材料,实现高质量的半导体/氧化物界面,提高量子比特性能。预计采购时间:2024-06备注:本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 电子束蒸镀系统可用于各类金属和氧化物的沉积,是制造半导体器件的关键设备,对于项目中各类实验的开展具有至关重要的作用 预计采购时间: 2024-06 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 电子束蒸发中电子束加热的方法与传统的电阻加热的方法相比较,电子束加热会产生更高的能量密度,对于高熔点的材料的蒸发比较有利,而且还可以使蒸发的速率得到提高;电子束蒸镀在工作的时候会将需要被蒸发的原材料放入到水冷铜坩埚内,这样就可以避免材料被污染,可以制造 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 粘片是半导体激光器封装的基本工艺过程,但每种激光器基座不同,管芯尺寸不同,粘接位置不同,特别是阵列激光器在与光学系统配合时,每个管芯的位置以及管芯之间相对位置均有很高的精度要求,有时根据需要还有可能需要将芯片旋转一定的角度进行粘接,因此需要精度较高的粘 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 现阶段,普遍认为二维材料和量子点是制作光电突触的最佳材料,光电突触的性能对材料的缺陷很敏感,高一致性制备量子点材料和转移二维材料是实现高性能光电突触的关键。二维材料高精度定向转移设备可以实现二维材料的微米精度定向转移,Parylene沉积设备能够在量子 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 微转印技术是新一代的核心技术,是实现硅光技术的关键技术。微转印设备是课题组开展研究的基础必备设备 预计采购时间: 2024-09 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。  查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 矩形管壳熔接机是一种电阻焊,通过滚轮电极和金属封盖组成闭合回路,在盖板接触点处形成高阻,产生极高的局部发热,使盖板接触处局部溶化,并在滚轮的压力下完成熔接,具有可靠性高、密封性能优越及生产效率高等优点,是目前微电子、光电子器件中常用的气密性封装技术之一 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 设备不仅可以实现真空下的激光芯片的解理,也可以进行金属膜和介质膜的一体化镀膜工艺,实现中长红外波段的高反膜制备。 预计采购时间: 2024-08 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 热蒸发制程是用于沉积材料中最简单的物理气相沉积 PVD 。可以快速有效地进行金属镀膜,制作电极。 预计采购时间: 2024-05 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。  查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 拟购置的设备是刻蚀石墨烯、氮化硼等低维半导体材料的必备设备。感应耦合等离子体刻蚀技术是利用等离子体进行薄膜微细加工的技术,由于具有良好的各向异性和工艺可控性已被广泛应用于半导体基础产品制造领域。 预计采购时间: 2024-05 备注:  查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 窄脉冲大功率激光器针对输出光功率不同进行的管芯排列及串并联方式,需要在器件内部进行引线键合,考虑部分激光器所需驱动电流较大,采用金带键合可以有效地减少导通电阻,需增加金丝/金带键合机。 预计采购时间: 2024-06 备注: 本次公开的 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 循环周期小于2秒、适用于通孔和多孔的基底材料、可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔 预计采购时间: 2024-10 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,中国科学院 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 购置抗辐照半导体材料先进等离子体刻蚀设备,开展高端器件制备工艺研究。实现超低损耗抗辐照光波导器件自主可控开发。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 开展半导体/超导体异质结纳米线网络的原位外延制备,用于拓扑量子比特的构筑。 预计采购时间: 2024-05 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,中国科学院 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 氮化镓放大器中,需要均匀、高重复性介质膜作为晶体管钝化材料与电容介质。随6G器件频率的提高,晶体管寄生电容值和电容器电容值精度达到飞法级,对介质膜的均匀性要求需达到<3%;高重复性则决定了放大器设计的准确性,直接影响设计难度与最终放大器性能,因此需求P 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 垂直腔面发射激光器(VCSEL)与边发射半导体激光器相比具有阈值电流低、易于二维集成、无腔面阈值损伤、圆形对称光斑及制作成本低等优点获得广泛应用。衬底面发射结构设计的激光器具有先天的散热优势,能获得更高功率激光输出。此外,通过器件或晶圆的薄膜级制备能进 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 购置该系统将提升量子级联材料研发能力、拓展材料组合体系,既兼顾前端应用技术的开发、又兼顾新原理功能器件的探索 预计采购时间: 2024-05 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购 查看详情>>
0300-电子工业生产设备 采购需求概况: 购买自动金丝打线机,主要是为了严格控制键合压力、提高键合点定位精确、焊盘的大小等关键参数,提高焊接的一致性和可靠性,实现高质量的激光器欧姆接触性能,特别是有些特殊器件,金丝焊盘较小,定位精度更高,自动金属键合设备有明显的优势。 预计采购时间: 20 查看详情>>
30300电子工业生产设备 采购需求概况: 专门应用于科学研究领域的单原子层沉积系统,在90℃低温条件下生长高质量氧化铪,生长薄膜均匀性高,缺陷数量少,可重复性高。低温生长栅介质对于微纳米平台制作晶体管器件和其他纳米器件具有很大的推动作用,尤其生长介质的稳定性和可重复性可以满足微纳米平台众多课题 查看详情>>
30300电子工业生产设备采购需求概况 :本项目包括刻蚀设备2台。 刻蚀设备1的主要技术参数:高深宽比刻蚀,优于20:1。 刻蚀设备2的主要技术参数:适用于压电薄膜的刻蚀。预计采购时间:2024-05备注:本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准 查看详情>>
30300电子工业生产设备采购需求概况 :采购数量1,该设备主要为硅基半导体量子芯片提供高质量的量子点制备材料平台,需达到以下条件:支持手动及全自动运行,稳定运行时间大于300小时。预计采购时间:2024-06备注:本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采 查看详情>>
材料作为生产用料,生产设备需要根据甲方的要求进行彻底清洗,耗材不重复利用。生产所得甲基丙烯酸粉末在配置溶液之前需要真空密封避光保存。 预计采购时间: 2024-06 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,中国科学 查看详情>>
验,但受限于场地与生产设备不足,项目组拟采购外协服务,需求如下:1. 原料药的生产工艺优化与生产,包括1)针对已有的合成工艺路线的优化、2)分析方法的开发与验证、3)小试批次、放大批次的生产;2. 制剂的处方优化与生产,包括1)处方研究与优化、2)分析方法的开发与验证、3)小试批及放大批次的生产、4 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 最大样本尺寸(X、Y、Z): 100mm、100mm、15mm。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,北京市 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 真空度:优于1E-7Torr; 蒸发金属:Au、Ti、Cr、Pt等;坩埚数:6个。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,北京市 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 温度范围:11-1000K。测试加工范围广,小样片或晶圆级。配套高精度光学显微镜。可实现自动对焦。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 不少于5路工艺气体管路,包括CF4, O2, Ar, 5%SiH4, NH3等工艺气体。真空漏率≤ 2E-4 mbar·l/s。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 样品尺寸≥150mm*150mm,不少于5路工艺气体管路,气路柜可容纳最多12路工艺气路。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,北 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 装载:抽屉式样品装载,6寸wafer。源瓶加热器:2个180℃单管加热器。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,北京市 查看详情>>
30300电子工业生产设备 采购需求概况: 采购数量:1套,支持标准6英寸晶圆曝光及晶圆键合对准,曝光分辨率:≤1μm,曝光波长:LED光源,波长365nm、405nm、436nm,光强均匀性:6英寸范围内优于4%,正面套刻对准精度:±0.5μm,配备有气动防震台,配置晶圆键合软件支持晶圆键合配 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 薄膜尺寸:XY:100 mm x 100 mm及以上。金属、氧化物等薄膜均可。镀膜重复性:批次间重复性优于±2%。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告 查看详情>>
00其他电工、电子生产设备 采购需求概况: 样品台不小于6英寸。配置包括SF6, CHF3, CF4, O2, Ar等备用1路。 预计采购时间: 2024-07 备注: 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 ,北京市 查看详情>>
30300电子工业生产设备 采购需求概况: 采购数量:1套,支持标准6英寸晶圆键合,支持键合工艺种类:阳极键合、金属共晶键合、金属热压键合,最大键合压力:60 kN;压力控制精度:≤±2%;键合压力均匀性:≤±10%@6英寸硅片,上下基板单独控温,最高可升温至550℃;温度控制精度:≤±1℃;温 查看详情>>
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