23年4月7日48原子层沉积系统本次拟采购的原子层沉积系统主要用于硅片及Pattern上制备氧化铪,氧化钛,铪锆氧掺杂等High-K介质薄膜,并采用先进的掺杂工艺用于High-K介电薄膜的研究,低温生长工艺用于存储芯片解剖和性能分析研究及未来SAMs自组装单分子层的薄膜沉积生长,用于存储器封装技术的 查看详情>>
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7/04招标范围:原子层沉积系统 ,1套招标机构:中科高盛咨询集团有限公司招标人:辽宁材料实验室开标时间:2023-09-01 09:30公示时间:2023-09-04 13:08 - 2023-09-07 23:59中标结果公告时间:2023-09-08 10:18中标人:北京时代天启真空科技有限 查看详情>>
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/04 招标范围:原子层沉积系统 ,1套 招标机构:中科高盛咨询集团有限公司 招标人:辽宁材料实验室 开标时间:2023-09-01 09:30 公示时间:2023-09-04 13:08 - 2023-09-07 23:59 中标结果公告时间:2023-09-08 10:13 中标人:北京时代 查看详情>>
23年4月7日48原子层沉积系统本次拟采购的原子层沉积系统主要用于硅片及Pattern上制备氧化铪,氧化钛,铪锆氧掺杂等High-K介质薄膜,并采用先进的掺杂工艺用于High-K介电薄膜的研究,低温生长工艺用于存储芯片解剖和性能分析研究及未来SAMs自组装单分子层的薄膜沉积生长,用于存储器封装技术的 查看详情>>
/04 招标范围:原子层沉积系统 ,1套 招标机构:中科高盛咨询集团有限公司 招标人:辽宁材料实验室 开标时间:2023-09-01 09:30 公示开始时间:2023-09-04 13:08 评标公示截止时间:2023-09-07 23:59 中标候选人名单: 候选人排名 投标商名称 制造商 查看详情>>
7/04招标范围:原子层沉积系统 ,1套招标机构:中科高盛咨询集团有限公司招标人:辽宁材料实验室开标时间:2023-09-01 09:30公示开始时间:2023-09-04 13:08评标公示截止时间:2023-09-07 23:59中标候选人名单: 候选人排名 投标商名称 制造商 制造商国别及地 查看详情>>
23年4月7日48原子层沉积系统本次拟采购的原子层沉积系统主要用于硅片及Pattern上制备氧化铪,氧化钛,铪锆氧掺杂等High-K介质薄膜,并采用先进的掺杂工艺用于High-K介电薄膜的研究,低温生长工艺用于存储芯片解剖和性能分析研究及未来SAMs自组装单分子层的薄膜沉积生长,用于存储器封装技术的 查看详情>>
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23年4月7日48原子层沉积系统本次拟采购的原子层沉积系统主要用于硅片及Pattern上制备氧化铪,氧化钛,铪锆氧掺杂等High-K介质薄膜,并采用先进的掺杂工艺用于High-K介电薄膜的研究,低温生长工艺用于存储芯片解剖和性能分析研究及未来SAMs自组装单分子层的薄膜沉积生长,用于存储器封装技术的 查看详情>>
要技术规格备注1 原子层沉积系统 1套 详见技术部分3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:无是否接受联合体投标:不接受未领购招标文件是否可以参加投标:不可以4、招标文件的获取招标文件领购开始时间:2023-08-11招标文件领购结束时间:2023-08-18是否在线售卖标书:否获取招标文件方式 查看详情>>
格 备注 1 原子层沉积系统 1套 详见技术部分 3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:无是否接受联合体投标:不接受未领购招标文件是否可以参加投标:不可以4、招标文件的获取招标文件领购开始时间:2023-08-11招标文件领购结束时间:2023-08-18是否在线售卖标书:否获取招标 查看详情>>
23年4月7日48原子层沉积系统本次拟采购的原子层沉积系统主要用于硅片及Pattern上制备氧化铪,氧化钛,铪锆氧掺杂等High-K介质薄膜,并采用先进的掺杂工艺用于High-K介电薄膜的研究,低温生长工艺用于存储芯片解剖和性能分析研究及未来SAMs自组装单分子层的薄膜沉积生长,用于存储器封装技术的 查看详情>>
格 备注 1 原子层沉积系统 1套 详见技术部分 3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:无是否接受联合体投标:不接受未领购招标文件是否可以参加投标:不可以4、招标文件的获取招标文件领购开始时间:2023-08-03招标文件领购结束时间:2023-08-10是否在线售卖标书:否获取招标 查看详情>>
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