，分析材料表面几个原子层的化学元素组成和价态分析、深度分布测试等电子结构的表征。整套设备可以满足各类材料的基本XPS测试要求，必要附件：Al／Ag单色双阳极X射线源、紫外光电子能谱（UPS），离子散射谱(ISS),高低温样品台等，用以完成科研过程中的特殊测试需求。#_@_@4500000#_@_@2 查看详情>>
9高介电常数氧化铝原子层沉积设备3详见招标文件90聚酰亚胺固化设备2详见招标文件91立式低压多晶硅沉积设备6详见招标文件93立式低温低压SIN淀积设备1详见招标文件94立式低温低压OX淀积设备2详见招标文件95立式合金化设备2详见招标文件96立式栅极氧化硅生长设备(W)1详见招标文件3、投标人资格要 查看详情>>
学气相沉积-氮化钛原子层沉积机台2详见招标文件93钛化学气相沉积-钛&氮化钛原子层沉积机台2详见招标文件95下部台阶接触孔刻蚀1详见招标文件3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:投标设备的制造厂商须具有同类设备的设计与制造的经验，所投设备为非试制品。 如由代理投标，须取得生产商唯一有效 查看详情>>
9高介电常数氧化铝原子层沉积设备3详见招标文件90聚酰亚胺固化设备2详见招标文件91立式低压多晶硅沉积设备6详见招标文件92立式低压氯气/氯化氢刻蚀设备3详见招标文件93立式低温低压SIN淀积设备1详见招标文件94立式低温低压OX淀积设备2详见招标文件95立式合金化设备2详见招标文件96立式栅极氧化 查看详情>>
9高介电常数氧化铝原子层沉积设备3详见招标文件90聚酰亚胺固化设备2详见招标文件91立式低压多晶硅沉积设备6详见招标文件93立式低温低压SIN淀积设备1详见招标文件94立式低温低压OX淀积设备2详见招标文件95立式合金化设备2详见招标文件96立式栅极氧化硅生长设备(W)1详见招标文件3、投标人资格要 查看详情>>
3高介电常数氧化铝原子层沉积设备2详见招标文件34聚酰亚胺固化设备1详见招标文件35立式低压多晶硅沉积设备3详见招标文件37立式高温低压SIN淀积设备2详见招标文件38立式高温低压OX淀积设备2详见招标文件39立式合金化设备1详见招标文件40立式栅极氧化硅生长设备(W)1详见招标文件41立式栅极氧化 查看详情>>
3高介电常数氧化铝原子层沉积设备2详见招标文件34聚酰亚胺固化设备1详见招标文件35立式低压多晶硅沉积设备3详见招标文件37立式高温低压SIN淀积设备2详见招标文件38立式高温低压OX淀积设备2详见招标文件39立式合金化设备1详见招标文件40立式栅极氧化硅生长设备(W)1详见招标文件41立式栅极氧化 查看详情>>
9高介电常数氧化铝原子层沉积设备3详见招标文件90聚酰亚胺固化设备2详见招标文件91立式低压多晶硅沉积设备6详见招标文件93立式低温低压SIN淀积设备1详见招标文件94立式低温低压OX淀积设备2详见招标文件95立式合金化设备2详见招标文件96立式栅极氧化硅生长设备(W)1详见招标文件3、投标人资格要 查看详情>>
9高介电常数氧化铝原子层沉积设备3详见招标文件90聚酰亚胺固化设备2详见招标文件91立式低压多晶硅沉积设备6详见招标文件93立式低温低压SIN淀积设备1详见招标文件94立式低温低压OX淀积设备2详见招标文件95立式合金化设备2详见招标文件96立式栅极氧化硅生长设备(W)1详见招标文件3、投标人资格要 查看详情>>
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3高介电常数氧化铝原子层沉积设备2详见招标文件34聚酰亚胺固化设备1详见招标文件35立式低压多晶硅沉积设备3详见招标文件37立式高温低压SIN淀积设备2详见招标文件38立式高温低压OX淀积设备2详见招标文件39立式合金化设备1详见招标文件40立式栅极氧化硅生长设备(W)1详见招标文件41立式栅极氧化 查看详情>>
信息主要标的名称：原子层层积系统规格型号（或服务要求）：TALD-R主要标的数量：1主要标的单价：325000合同金额：37.120000万元履约期限、地点等简要信息：合同签订生效后（60）日内将全部货物送到指定地点，由需方在（10）日内验收，验收合格后签署货物验收单，作为付款的凭证。 交货地点：需 查看详情>>
信息主要标的名称：原子层层积系统规格型号（或服务要求）：TALD-R主要标的数量：1主要标的单价：325000合同金额：37.120000万元履约期限、地点等简要信息：合同签订生效后（60）日内将全部货物送到指定地点，由需方在（10）日内验收，验收合格后签署货物验收单，作为付款的凭证。 交货地点：需 查看详情>>
试仪1台；03包：原子层层积系统1套，激光刻蚀机1台，万分之一天平1台。采购方式：公开招标采购数量：供货时间：按采购人要求合同履约期：采购公告日期：2020/5/20 15:37:12中标供应商名称:天美仪拓实验室设备（上海）有限公司中标供应商地址：上海市松江区新桥镇民益路201号16幢501室-1 查看详情>>
试仪1台；03包：原子层层积系统1套，激光刻蚀机1台，万分之一天平1台。采购方式：公开招标采购数量：供货时间：按采购人要求合同履约期：采购公告日期：2020/5/20 15:37:12中标供应商名称:天美仪拓实验室设备（上海）有限公司中标供应商地址：上海市松江区新桥镇民益路201号16幢501室-1 查看详情>>
见文件爱你03包：原子层层积系统1套，激光刻蚀机1台，万分之一天平1台,规格型号：TALD-R 、JW-20W-KS、PTX-FA210S等，数量：1批,单价：元,服务要求：详见文件评审委员会成员名单：任瑞、朱志良、贾新顺、王佳辉、王延峰供货商信息：中标供应商名称：天美仪拓实验室设备（上海）有限公司 查看详情>>
率测试仪，03包：原子层层积系统）；6、供应商所投产品为进口产品的，须提供有效的《海关进出口货物收发货人报关注册登记证书》或有效的《海关进出口货物收发货人备案回执》。采购数量：1批技术要求：详见招标文件备注：因投标单位自身的原因未能在有效期内完成注册，将会导致报名不成功，其后果由投标单位负责。潜在供 查看详情>>
5项目名称：多功能原子层化学气相沉积设备合同签订日期：2019-01-11采购人：河北大学供应商名称：元于科技（北京）有限公司 代理机构名称 ：河北省国际招标有限公司公告时间：2018-12-18合同总金额 ：600000.00元关联中标公告标题：河北大学多功能原子层化学气相沉积设备中标公告关联中标 查看详情>>
采购项目名称多功能原子层化学气相沉积设备品目采购单位河北大学行政区域河北省公告时间2018年12月18日 09:10本项目招标公告日期2018年11月16日中标日期2018年12月14日评审专家名单江志学、郑大海、董伟、刘海旭、刘淳朴总中标金额￥60.000000 万元（人民币）联系人及联系方式：项 查看详情>>
批项目名称：多功能原子层化学气相沉积设备项目联系人：李俊旭联系方式:0311-83086830代理机构：河北省国际招标有限公司评标方法和标准：综合评分法河北大学多功能原子层化学气相沉积设备招标公告(公开招标公告的公告期限为5个工作日) 发布时间：2018-11-15采购项目编号：HB-180170 查看详情>>
称：河北大学多功能原子层化学气相沉积（ALD）设备采购采购人名称：河北大学 采购人地址：河北省保定市五四东路180号采购人联系方式： 联系人： 庞老师 电 话：0312-5079589采购代理机构全称：河北省国际招标有限公司 采购代理机构地址：石家庄市工农路486号采购代理机构联系方式：联系人：李俊 查看详情>>
分项目名称：多功能原子层化学气相沉积设备机构项目编码：HB20*005项目联系人：李俊旭项目联系电话：0311-83086830采购人：河北大学采购人地址：河北省保定市五四东路180号采购人联系方式：0312-5079589代理机构：河北省国际招标有限公司代理机构地址：石家庄市工 查看详情>>
双腔室等离子体增强原子层沉积系统1套 废标原因：报名单位不足三家，故该项目终止。 废标日期：2018-01-10下载：材料学院废标公告 查看详情>>
双腔室等离子体增强原子层沉积系统1套，具体详见招标文件二、投标人的资格要求：投标人必须符合《政府采购法》第二十二条规定的基本条件，在中华人民共和国境内注册、具有本采购项目供应能力的独立法人，不接受联合体投标。投标报名单位须携带以下资料：企业法人营业执照副本（复印件）、税务登记证副本（复印件）、组织机 查看详情>>
1/26招标范围：原子层沉积设备（薄膜封装（开发））招标机构：中国电子进出口总公司招标人：云谷（固安）科技有限公司开标时间：2017-08-01 10:00公示时间：2017-08-03 17:24 - 2017-08-08 23:59中标结果公告时间：2017-08-15 00:15中标人：周星工 查看详情>>
1/26招标范围：原子层沉积设备（薄膜封装（开发））招标机构：中国电子进出口总公司招标人：云谷（固安）科技有限公司开标时间：2017-08-01 10:00公示开始时间：2017-08-03 17:24评标公示截止时间：2017-08-08 23:59中标候选人名单：候选人排名投标商名称制造商制造商 查看详情>>
GU0001/26原子层沉积设备（薄膜封装（开发））(ALD(TFE(R&D))1台本设备用于用于沉积 SiOx和Al2O3薄膜封装膜层，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。招标文件售价：人民币3000元或美元500元0714-164YUNGU0001/27涂布机 查看详情>>
GU0001/26原子层沉积设备（薄膜封装（开发））(ALD(TFE(R&D))1台本设备用于用于沉积 SiOx和Al2O3薄膜封装膜层，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。招标文件售价：人民币3000元或美元500元0714-164YUNGU0001/27涂布机 查看详情>>
GU0001/26原子层沉积设备（薄膜封装（开发））(ALD(TFE(R&D))1台本设备用于用于沉积 SiOx和Al2O3薄膜封装膜层，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。招标文件售价：人民币3000元或美元500元0714-164YUNGU0001/27涂布机 查看详情>>
GU0001/26原子层沉积设备（薄膜封装（开发））(ALD(TFE(R&D))1台本设备用于用于沉积 SiOx和Al2O3薄膜封装膜层，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。招标文件售价：人民币3000元或美元500元0714-164YUNGU0001/27涂布机 查看详情>>
GU0001/26原子层沉积设备（薄膜封装（开发））(ALD(TFE(R&D))1台本设备用于用于沉积 SiOx和Al2O3薄膜封装膜层，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。招标文件售价：人民币3000元或美元500元0714-164YUNGU0001/27涂布机 查看详情>>
GU0001/26原子层沉积设备（薄膜封装（开发））(ALD(TFE(R&D))1台本设备用于用于沉积 SiOx和Al2O3薄膜封装膜层，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。招标文件售价：人民币3000元或美元500元0714-164YUNGU0001/27涂布机 查看详情>>
GU0001/26原子层沉积设备（薄膜封装（开发））(ALD(TFE(R&D))1台本设备用于用于沉积 SiOx和Al2O3薄膜封装膜层，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。招标文件售价：人民币3000元或美元500元0714-164YUNGU0001/27涂布机 查看详情>>
