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“泉州原子层”招标信息信息

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   泉州师范学院2022年10月至12月政府采购意向

招标信息 | 2022-10-14丨 福建

州师范学院物信学院原子层沉积系统采购项目[A02052499]其他真空获得及应用设备本次采购项目包含原子层沉积系统1套;能够实现纳米薄膜制备功能。合同履行期限:签订合同后30日内完成供货、安装、调试并达到验收标准。质保3年。2002002022-11无 5泉州师范学院物信学院物理专业办公室移动工作 查看详情>>
/42 12吋晶圆原子层沉积之氮化钛系统 1 设备要求:该设备结构设计合理,采用先进成熟技术,保证系统具有良好的动态品质,在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高,可靠性好,响应速度快。设备使用、操作、维修方便,造型美观,结构紧凑,整机运行稳定可靠,售后服务优良。CNY10000 / 查看详情>>
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   福州大学原子层沉积系统采购项目

招标信息 | 2021-12-10丨 福建

子层沉积系统采购项目项目编号:[3500]FJSH[GK]2021087-1作者:陈永煊发布时间:福州大学原子层沉积系统采购项目合同公告(合同包[3500]FJSH[GK]2021087-1_1_91320214MA1NPH6357_1705) 一、合同编号:[3500]FJSH[GK]20210 查看详情>>
/19 12吋晶圆原子层沉积之氮化钛系统 1 设备要求:该设备结构设计合理,采用先进成熟技术,保证系统具有良好的动态品质,在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高,可靠性好,响应速度快。设备使用、操作、维修方便,造型美观,结构紧凑,整机运行稳定可靠,售后服务优良。CNY10000 / 查看详情>>
   存储器生产线建设招标公告

招标信息 | 2020-08-13丨 福建

012吋晶圆厂炉管原子层氮化硅沉积工艺生产机台2设备要求:该设备结构设计合理,采用先进成熟技术,保证系统具有良好的动态品质,在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高,可靠性好,响应速度快。设备使用、操作、维修方便,造型美观,结构紧凑,整机运行稳定可靠,售后服务优良。CNY10000  查看详情>>
   12吋晶圆刻号机招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   高能量离子植入工艺机台招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   钛/氮化钛沉积工艺机台招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   硅片储存器招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   薄膜沉积工艺机台招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   黄光后自动检查机&光罩缺陷檢測機招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
    存储器生产线建设 招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

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    存储器生产线建设 招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   12吋晶圆厂PR Strip蚀刻系统招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
    存储器生产线建设 招标公告

招标信息 | 2018-04-04丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   隔离结构蚀刻工艺机台招标公告

招标信息 | 2018-02-14丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台招标公告

招标信息 | 2018-02-14丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   氮化硅与钨蚀刻工艺机台招标公告

招标信息 | 2018-02-14丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   12吋厂黄光涂胶显影机I_line招标公告

招标信息 | 2018-02-14丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   氮化硅与钨蚀刻工艺机台招标公告

招标信息 | 2018-02-14丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
001/30 低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台 30 新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31 低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP S 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
   高深宽比通孔蚀刻工艺机台招标公告

招标信息 | 2018-02-14丨 福建

C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
C001/30低压原子层沉积氮化硅生长工艺(ALD SiN)生产机台30新建计算机集成制造生产线立式炉管(Furnace)工藝机台CNY25000/USD41500714-1740JHICC001/31低压氮化硅生长工艺(SOD-Anneal)生产机台 & 低压氮化硅生长工艺(LP SiN) 查看详情>>
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