起化学反应的气体，射频电源将反应气体电离产生等离子体，基底被浸渍于高反应活性的等离子体中，基底表面未被掩蔽的部分与气体离子进行反应，反应产物呈气态排出腔室，从而实现材料刻蚀； 2） 该设备主要用于硅快速刻蚀及其他硅基材料的刻蚀，在衬底上形成高深宽比（如Aspect Ratio100以上）的图案结构微 查看详情>>
01/75 半导体射频电源一体化校准系统 1包 要求设备结构设计合理，采用先进成熟技术，保证系统具有良好的动态品质，在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高，可靠性好，响应速度快。设备使用、操作、维修方便，造型美观，结构紧凑，整机运行稳定可靠，售后服务优良。3、投标人资格要求投标人应 查看详情>>
01/75 半导体射频电源一体化校准系统 1包 要求设备结构设计合理，采用先进成熟技术，保证系统具有良好的动态品质，在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高，可靠性好，响应速度快。设备使用、操作、维修方便，造型美观，结构紧凑，整机运行稳定可靠，售后服务优良。3、投标人资格要求投标人应 查看详情>>
01/75 半导体射频电源一体化校准系统 1包 要求设备结构设计合理，采用先进成熟技术，保证系统具有良好的动态品质，在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高，可靠性好，响应速度快。设备使用、操作、维修方便，造型美观，结构紧凑，整机运行稳定可靠，售后服务优良。3、投标人资格要求投标人应 查看详情>>
01/75 半导体射频电源一体化校准系统 1包 要求设备结构设计合理，采用先进成熟技术，保证系统具有良好的动态品质，在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高，可靠性好，响应速度快。设备使用、操作、维修方便，造型美观，结构紧凑，整机运行稳定可靠，售后服务优良。3、投标人资格要求投标人应 查看详情>>
01/75 半导体射频电源一体化校准系统 1包 要求设备结构设计合理，采用先进成熟技术，保证系统具有良好的动态品质，在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高，可靠性好，响应速度快。设备使用、操作、维修方便，造型美观，结构紧凑，整机运行稳定可靠，售后服务优良。3、投标人资格要求投标人应 查看详情>>
01/75 半导体射频电源一体化校准系统 1包 要求设备结构设计合理，采用先进成熟技术，保证系统具有良好的动态品质，在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高，可靠性好，响应速度快。设备使用、操作、维修方便，造型美观，结构紧凑，整机运行稳定可靠，售后服务优良。3、投标人资格要求投标人应 查看详情>>
3000W LRF射频电源及其附件（match、RF cable））2套7.合同履行期限：合同签订后90日内8.本项目不接受联合体。二、申请人的资格要求1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定，截止响应文件提交截止时间未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn）、“中国 查看详情>>
电源2台，500W射频电源1台（带自动匹配器）。3.配置2路工艺气体，一路Ar，一路O2，采用气体流量计控制，带混气室，Ar流量200sccm，O2流量100sccm。4.配置霍尔离子源用来基片清洗。？样品台：1.可装载最大6英寸样品（样品盘直径150mm，方片尺寸100*100mm）2.样品台旋转 查看详情>>
阴极兼容直流电源和射频电源输入。溅射电源：1）进口500W直流溅射电源，可以切换使用2）进口300W射频电源，带自动匹配器。不可以切换使用。气路系统：1）配置两路工艺气体，1路Ar，1路O2，采用气体流量计控制。带混气室。2）Ar流量200sccm，O2流量100sccm，四、样品台1）可装载最大6 查看详情>>
3000W LRF射频电源及其附件（match RF cable）2套。7.合同履行期限：合同签订后90日内8.本项目不接受联合体。二、申请人的资格要求1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定，截止响应文件提交截止时间未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn）、“中国 查看详情>>
≥3个。 射频电源：使用射频13.56MHZ 系统，功率不低于150W的RF电源，带有自动匹配电路，用于沉积绝缘体薄膜或者金属薄膜。 直流电源：功率不低于850W。通过溅射转换模块可分别控制任一磁控溅射靶，用于快速沉积金属薄膜。 共溅射模块：可实现两个磁控溅射靶共同沉积，同时 查看详情>>
）； 500wRF射频电源1台(数字式自动匹配) -1000V脉冲偏压电源1台(恒压源、占空比可调、频率4K，开关管采用进口IGBT) 6. 真空测量采用进口全量程规进行测量。 7. 系统配有三路MFC控制进气系统（Ar、O2、N2）配有混气罐一套。 8. 系统采用PLC+触摸屏控制，具有多种可选镀 查看详情>>
换使用2）500W射频电源1台，带耐腐蚀性泵3) 3个溅射靶材，一个蒸发源，自带蒸发电源售后服务服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:2;服务时限:报修后2小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品;报价地址：https://www.yuncaitong.cn/publis 查看详情>>
A(不含真空泵)*射频电源功率： 0-300W*射频频率： 40KHz （偏移量小于0.2KHz）*频率偏移量： 小于0.2KHz*特性阻抗： 50欧姆，自动匹配*真空度： 10Pa—1000Pa*气体流量： 10—160ml/min(可调)*过程控制： MCU自动与手动方式清洗时间： 1-9999 查看详情>>
仪 超真空40KF射频电源:13.56MHZPLC系统：三菱电器系统：施耐德控制系统：触控处理气体:O2、Ar2、N2，H2、CF4输出功率：0-300W可调质保及售后服务按行业标准提供服务报名地址：https://www.easyjcx.com/#/purchase/detail/e478679a 查看详情>>
00W 1套 国产射频电源 500W 2台 国产溅射单元质量流量计 Ar，O2 2台 国产基片台 水冷样品台 可升降可旋转 1套 国产电气控制系统威纶通7寸触摸屏，西门子PLC，ABB继电器及空气开关。1套 国产水排及水路系统 5进5出，水路报警； 1套 国产水路单元缺水报警系统 声光报警 1套 国 查看详情>>
00W 1套 国产射频电源 500W 2台 国产溅射单元质量流量计 Ar，O2 2台 国产基片台 水冷样品台 可升降可旋转 1套 国产电气控制系统威纶通7寸触摸屏，西门子PLC，ABB继电器及空气开关。1套 国产水排及水路系统 5进5出，水路报警； 1套 国产水路单元缺水报警系统 声光报警 1套 国 查看详情>>
N用户手册）直流/射频电源 1台德国 ROFIN（技术参数详见ROFIN用户手册）交流电源 1台国产专用高速棱镜 1台美国Lincoln 30000转主操作系统/触摸屏 1台 MITSUBISHI 10.4彩色主控系统 1套 MITSUBISHI 可编程控制器等收、放纸系统 4套 MITSUBISH 查看详情>>
按行业标准提供服务射频电源功率 0-500W（连续可调）工作频率13.56MHZ+0.005％ 显示器LCD 128*64， 无联系方式：400-838-0606 查看详情>>
频电源在电子商务平台进行询比价采购,现公开邀请合格投标人进行网上电子报价。 一、询比价内容 1.项目标号：DM11XBJ201712010001 2.项目标名：射频电源 3.物资名称及数量：请点击左下角物资明细表查看。 4.交货地点和时间：以实际订单要求为准。 二、投标人 查看详情>>
速机械泵、分子泵、射频电源、热台、旋涂仪、循环冷却水系统、温湿度精确控制腔体、三维数控位移台、高压电源、高精度注射泵、信号发生器、电压电流表1批57详见采购文件 二便携纺织成分光谱快速分析系统、超纯水系统、微机控制电子万能机、投影仪1批43详见采购文件五、投标人的资格要求：1、符合政府采购法第二十二 查看详情>>
显微观察系统等。 射频电源功率： 200W 射频频率： 40KHZ 真空度： 30Pa—100Pa 气体流量： 10—100ml/min 清洗时间： 1-6000秒钟可调 功率大小： 10%-100%可调 内腔尺寸： 100mm×270mm 釜体要求：400 bar，400℃,100ml，哈氏合金 查看详情>>
额定功率:3KW；射频电源信号频率 13.56 MHz±0.005%；功率输出范围：5W-500W；最大反射功率：200W； 流量计标准量程（N2)： 100sccm、200sccm、500sccm；准确度：±1.5%F.S；重复精度：±0.2% F.S 响应时间：气特性：1～4 Sec；配备压力真 查看详情>>
XZCG2013-GK-083杭州市萧山区戴村镇人民政府智能化弱电系统政府采购项目的公开招标公告关于 查看详情>>
控靶2/直流电源/射频电源/薄膜压力计（进口）1批靶枪重量：约8磅；直流电源：操作模式：高压直流，低压直流；1000W二离子溅射仪（进口）1台溅射控制：微处理器控制，安全互锁，可调（10、20、30、40mA）程序化数字控制三FPGA开发板（进口）8块2000000个逻辑单元四逻辑分析仪（进口）1台 查看详情>>
13.56MHz射频电源、自动匹配，1台；刻蚀电源： RF500W 13.56MHz射频电源、自动匹配，1台；7）、压力控制MKS自动压力控制系统，下游流量控制模式；8）、工艺气体：5路气体质量流量控制器50\100SCCM；1路防腐气体质量流量控制器（MKS用）；9）、报警及保护：对泵、电极等缺 查看详情>>
成二磁控溅射系统用射频电源2套输出功率：0-300W输出电阻：50 ohms，±5 ohms频率：13.56MHZ三滨海工程耐久性暴露试验站预埋元器件（进口）1套腐蚀电位：测试范围±2000mV测试精度±2mV；短路预设间距0～9s四实验室台柜1批长、宽、高的误差≤3mm邻边垂直度：台面对角线、框架 查看详情>>
套机械泵1台)。 射频电源1部，带匹配器，功率为10--500瓦可调。 真空计一套；4个质量流量计、4个流量显示器；1个定时器（可在0 - 99分59秒之间任意设定辉光时间）2、刻蚀装置的功能和指标：1）可刻蚀光刻胶、Si02、SixNy、多晶硅等（4英寸晶圆或小片）； 2）刻蚀时间可预设定，自动控 查看详情>>
备至少一只600W射频电源、二只功率大于500W直流电源，直流电源可改用相应的中频电源，电流和功率精确可控。每个靶配备电控挡板，并单独水路冷却。（3）基片及基片架：基片有效镀膜直径3英寸，基片架可放置≤3英寸衬底，可加偏压。基片加热温度室温至800度，温度调节精度±1度，温场均匀；基片架旋转速度0～ 查看详情>>
进口 AE RF 射频电源 1 台， 13.56MHz 、 600W ；匹配器 1 台； （ 2 ）智能电脑温控系统 1 套；温度：室温～ 600○C 可控可调； （ 3 ）温控电源 1 台；（自制） （ 4 ）样品台升降控制系统 1 套； （ 5 ）上盖升降控制系统 1 套； （ 6 ） PLC 查看详情>>
00Pa ；4. 射频电源：600 watt output @ 13.56 MHz；抽真空时间：在5分钟内达到2×10-2Torr；镀膜系统PECVD氧化硅生长制备1. RF功率：300 ~ 1000 W；2. 衬底尺寸：(30 -1) pcs / (2"- 8")；3. 反应真空小于２×10-3T 查看详情>>
导体、陶瓷膜（需配射频电源）、介质复合膜和其它化学反应膜。可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、 OLED 实验研究、有机薄膜电池研究及太阳能电池研究实验等。 2 、溅射镀膜室 1.1 三支 2 英寸磁控溅射靶（其中可镀铁磁材料的溅射靶一支）。 1.2 样品台：可旋转、 查看详情>>
bar5、电源系统射频电源：频率13.56MHz, 最大功率不低于600W（无极可调）；阻抗自动匹配功能；电极要保证样品室内等离子体分布的均一性，且对样品无污染6、控制系统Windows操作系统；可设置60步或以上的工艺步骤。射频功率、工艺气体的流量均可由PC自动控制，操控界面可实时显示、记录RF功 查看详情>>
个靶）、直流电源、射频电源、样品加热台、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。 2 、其中溅射室尺寸为Ф 280 × 280 （ mm ）为筒形立式上掀盖全不锈钢结构。溅射室系统经 24 小时烘烤后连续抽气其真空度应达到 2 × 10-5Pa(1.5 × 10-7Torr) ；溅射室短时 查看详情>>
